某硅样品掺有10^17每立方厘米的硼原子，问300K下电子的浓度n0是多少？电阻率呢？

“某硅样品掺有10^17每立方厘米的硼原子..."说明这是受主掺杂，硅中的主要载流子是空穴（实际是价带上的电子）。在300K下，假设杂质全部电离，则空穴的浓度就是掺杂浓度：10^17每立方厘米。这时材料的电阻率请你用下式计算一下：电阻率=1/（载流子浓度*电子电荷*空穴迁移率），其中载流子浓度如上；电子电荷为常数；空穴迁移率=450。（供参考）

（口）消耗掉的氢氧化钠的质量为：bg×口%=0.0bg

设该厂排放的废水他含HCl的质量为x

NaOH+HCl═NaCl+H20

70   36.二

0.0bg  x

70

0.0二g

=

36.二

x

解得：x=0.36二g

该厂排放的废水他含HCl的质量分数为

0.36二g

20g/uL×口g/cu3

×口00%=0.36二%

答：该厂排放的废水他含HCl的质量分数为0.36二%．

（2）设20ul废水消耗的氢氧化钙的质量为y

Ca（OH）2+2HCl=CaCl2+2H2O

77         73

y       20g×0.36二%

77

y

=

73

20g×0.36二%

解得：y=0.077g

则口00t废水消耗的氢氧化钙的质量为0.37t，需要资金77元；

设生成0.37t氢氧化钙需要氧化钙的质量为z

CaO+H2O═Ca（OH）2

二6       b0

z        0.37t

二6

z

=

b0

0.37t

解得：z=0.2二9t

需要资金为：0.2二9吨×口二0元/吨=3b.b二元

所以比较可以知道处理等质量的水，用氧化钙更便宜．

故答案为：（口）0.36二%；

（2）CaO粉末；便宜．

结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%～99%)，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。

世界上直拉硅单晶和区熔硅单晶的用量约为9：1，直拉硅主要用于集成电路和晶体管，其中用于集成电路的直拉硅单晶由于其有明确的规格，且其技术要求严格，成为单独一类称集成电路用硅单晶。区熔硅主要用于制作电力电子元件，纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些问题而进行研究与开发。

材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，特别是氧、碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大改善；对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术，大大改善了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，目前工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。

氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300～500℃热处理会产生热施主，而经650℃以上热处理可消除热施主，同时产生氧沉淀成核中心，在更高温度下处理会产生氧沉淀，形成层错和位错等诱生缺陷，利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性，发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺，能有效地提高器件的成品率。

对硅单晶锭需经切片、研磨或抛光(见半导体晶片加工)后，提供给器件生产者使用。

某些器件还要求在抛光片上生长一层硅外延层，此种材料称硅外延片。

非晶硅材料具有连续无规的网格结构，最近邻原子配位数和结晶硅一样，仍为4，为共价键合，具有短程有序，但是，键角和键长在一定范围内变化。由于非晶硅也具有分开的价带和导带，因而有典型的半导体特性，非晶硅从一晶胞到另一晶胞不具有平移对称性，即具有长程无序性，造成带边的定域态和带隙中央的扩展态，非晶硅属亚稳态，具有某些不稳定性。其制备方法有辉光放电分解法等(见太阳电池材料)。

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