ITO膜在LED中的作用

ITO膜在LED中的作用是增加了光透过率：

ITO的微观结构。在SnO2中加入Sn后，Sn元素可以在铟镓晶格中取代，以SnO2的形式存在。由于In2O3中的in元素是三价的，当形成SnO2时，电子将贡献给导带。

同时，在一定的缺氧条件下产生氧空穴，形成载流子浓度为1020～1021CM-3，迁移率为10~30cm／vs.该机制提供了10-4Ω量级的低膜电阻率。

所以ITO薄膜具有半导体的导电性。Ito是一种宽能带薄膜，其禁带宽度为3.5-4.3ev。激发吸收阈值为3.75ev，相当于330nm波长。

因此，ITO薄膜的透射率很低。同时，由于载流子等离子体振动在近红外区域的反射，ITO薄膜在近红外区域的透光率也很低。

但ITO薄膜在可见光区域的透射率很好。由于材料本身特殊的物理和化学性质，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光透过率。

扩展资料：

在国内，ITO薄膜设备的制造和发展是20世纪80年代开始的，主要是一些单体式的真空镀膜设备，由于ITO工艺和制成方法的限制，因此产品品质较差、产量较小，当时的产品主要用作普通的透明电极和太阳能电池等方面。

20世纪90年代初，随着LCD器件的飞速发展，对ITO薄膜产品的需求量也是急剧的增加，国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线。

但由于进口设备的价格昂贵，技术服务不方便等因素，使许多厂商还是望而却步。80年代末，中国诞生了第一条TN-LCD用ITO连续镀膜生产线。

该生产线采用的工艺路线是将铟锡合金材料利用直流磁控溅射的原理沉积到基片的表面，并进行高温氧化处理，将铟锡合金薄膜转换成所需的ITO薄膜。

这种生产线的特点是设备的产能较低，质量较差，工艺调节复杂。90年代中期，随着国内LCD产业的发展，对ITO产品的需求量增大的同时，对产品的质量有了新的要求。

因此出现了第二代ITO镀膜生产线。该生产线不仅产量比第一代生产线有了大幅度的提升，同时由于直接采用ITO陶瓷靶材沉积ITO薄膜。

并兼容了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的工艺，使该生产线无论从产品的质量上、还是工艺可控性等方面与第一代生产线相比均有了质的飞跃。

参考资料来源：百度百科—ITO薄膜

ITO导电膜是一种具有导电功能的氧化铟锡薄膜，基材通常为PET材质，是在PET薄膜上形成以稀有金属In（铟）为主要原料的ITO（Indium Tin Oxide）靶材而制成的。

作为一种n型半导体材料，ITO导电膜具有较高的自有载流子浓度（电阻率低）、禁带宽度1、可见光谱区光透射率高等光学特征，基于透光率和导电性能较好，ITO导电膜被广泛应用于平板显示器件、太阳能电池等诸多领域。 ITO导电膜的主要特性包括：（1）导电性能好，电阻率可达10-4Ω? cm；（2）可见光透光率高，可达85%以上；（3）对紫外线具有吸收性，吸收率在85%以上；（4）对红外线具有反射性，反射率在80%以上；（5）对微波具有衰减性，衰减率也可达85%（6）薄层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀；（7）膜层加工性能好，便于刻蚀等。高的可见光透光率与相当低的电阻率结合在一起，使ITO薄膜成为目前综合性能最优异的透明导电材料之一。

ITO 薄膜的制备方法有多种，主要分为两大类：物理法和化学法，物理法包括磁控溅射、真空蒸发、离子增强沉积、激光脉冲沉积等，化学法包括热解喷涂、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等，在这些制备方法中目前使用最多的是磁控溅射法。

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