n型半导体多出的电子不会被磷原子束缚住么

n型半导体多出的电子不会被磷原子束缚住。掺入五价磷元素取代硅原子，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子不受束缚，较为容易地成为自由电子。所以n型半导体多出的电子不会被磷原子束缚住。掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为n型半导体。

n型半导体带负电。

N型半导体也称电子型半导体，指自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体，参杂磷等Ⅴ族元素。半导体中有两种 载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为 P型半导体。“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中。

N型半导体参与导电的(即导电载体)主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

形成原理：

N型半导体 掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高。对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。

该类杂质原子称为施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物半导体，如ZnO、Ta2O5等，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度，这表现为更强的电子导电性。

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