本征载流子浓度ni是多少

本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3

没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后，本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。

n：代表导电带中电子的浓度； P：代表价电带中空穴的浓度。

定义：ni为本征载子浓度对于本征半导体而言，n=p=ni

对给定的某一个半导体，只要在某一个固定的温度下，那么这个半导体里面导电带里的电子浓度n与价电带里的空穴浓度p的乘积是某个固定常数，即乘积为定值，上述式子称为质量作用定律。

ni的晶胞参数具体的计算方式为:ni晶胞参数α=b0∧c0β=c0∧a0γ=a0∧b0 晶胞的形状和大小可以用6个参数来表示,此即晶格特征参数,简称晶胞参数。决定晶胞形状、大小的一组参数。

硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为：

多数载流子（电子）n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3

少数载流子（空穴）p=ni^2/n=0.45cm-3

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