异质结的结构优化的incar怎么写

异质结(heterojunction)是两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-P结或N-N结）和异型异质(P-N或P-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。将p和n混合成一体便构成了bulk heterojunction（本体异质结）

PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。可参见http://baike.baidu.com/view/49290.htm

在半导体pn结、肖特基结、异质结中,由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲,从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降,这一界面区域在半导体物理中称为耗尽区.

而全耗尽是指某一区域的电子或空穴浓度下降为极低（接近于零）.

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