半导体激光器怎样得到较大的准直性

半导体激光器怎样得到较大的准直性,第1张

正常激光器要想得到更好的准直性,更小的发散角。一般都是把准直光斑做的大一些了,不过这样又会有两个问题,一个是透镜的口径变大了,价格变高,另外是大口径的透镜很难做非球面的,光斑球差会不好。

特点

 夜晚无光监视范围达300-1000米,全屏幕清晰监视

 军工A级大功率激光器,预期寿命长达2万小时以上

 国际先进的BRP激光匀化技术,夜视画面均匀清晰

 同步变焦功能,激光角度自动适应摄像视场角

 开机时光斑自动最大角度,有效避免伤人或引起灾害

 高效精密恒流供电设计,保证设备长期稳定工作

 图像高速聚焦算法设计,解决夜间聚焦问题

 内置长焦光学镜头,用于监视更远距离

 超大激光视角,夜间大范围监控,远距离细节监控

 动态智能降噪技术,减弱图像噪点,图像更干净

 激光镜头及护罩玻璃AR增透镀膜透过率达98%

 水平360°连续旋转,垂直90°~-90,无监视盲区

 128个精确预置位,4组巡航组,花样、左右扫描

 云台位置信息(经纬度)显示功能

 云台转速根据摄像机焦距比例变化自动调节

 二维光轴调节机构,方便用户校正光轴偏差

 集成雨刮器,可远程清洁镜头

 内置报警输入输出功能,可实现报警联动

 内置中英文菜单,内置中文等5种输入法

 手动远程除雾功能

 定时功能,可设置云台功能定时执行

 小型集成化设计,铝合金外壳设计,IP66防护等级

基本功能

AK-W3889系列激光夜视一体化云台摄像机采用世界领先的光机电一体化技术,可在漆黑的夜间全屏幕清晰监视300-1000米范围内的目标活动情况,昼视可达1500米。

独有的大功率半导体激光器应用设计技术,同等安装体积下,激光净输出功率大,能真正达到标称的监视距离。摄像机模组二次开发优化技术,同等照明条件下,图像清晰度高。图像高速聚焦算法设计,彻底解决夜间或者光线不足的情况下图像自动聚焦速度慢或者反复聚焦的问题。在摄像机变焦过程中,激光照明区域可以智能自动充满屏幕,无需人工干预,也可以手动远程调节激光的照射强度和角度。

AK-W3系列设备在激光安全性方面进行了充分考虑,上电自检时激光保持关闭,激光启动时自动到最大分散角度。激光的功率密度可以自动控制,在确保满足照明的前提下,对过高的功率密度进行了严格限制设计,符合国家安全激光功率密度标准。另外,可根据用户定制,增加自动关闭功能,在维护检测时,可自动探测到近距离的人和物体,并立即关闭激光,进一步确保了维护人员的安全。

AK-W3889激光夜视一体化云台摄像机集成高速云台设计,实现水平360°、垂直180°全方位、高速无盲区监视。128个精确预置位、4组巡航组、花样扫描、左右扫描、定时执行等智能功能可实现监控自动化。云台位置信息(经纬度)功能可以屏幕上显示设备的当前位置。云台可根据摄像机焦距比例变化自动调节转速,确保在快速移动过程中保持清晰稳定图像。标配四个报警输入、一个报警输出功能,可以连接报警设备实现报警联动功能。集成雨刮器,可远程清洁镜头。二维光轴调节机构,方便用户自行校正光轴偏差,确保激光有效照射在镜头的视角范围内。

抗飓风能力设计,采用大扭距高速步进电机动力系统,定位速度快,外壳使用结合金结构,表面抗氧化防盐雾喷涂,IP66防护等级,可适用各种自然环境条件。

AK-W3889激光夜视一体化云台摄像机小巧美观,安装便捷, *** 作简单,自重8KG,可选择顶装、壁装、杆装等多种安装方式。也适用于车载/船载。

国内独有的激光光斑存储技术,用户可自主调节激光并存储。

高清晰,高画质,宽动态,防抖动。

可订制功能

R 无红暴隐蔽监视

I 强光抑制,适用于监视光线复杂环境

T 透雾功能

W 无线视频传输

N 网络高清

A 智能事件分析

AK-W3889系列

可选22倍、26倍、36倍光学变焦激光夜视专用镜头。

技术规格(标配38倍光学变焦镜头)

监视距离 夜间300~1000米,白天1500米

图像传感器 1/3″SONY超感红外 CCD

水平分辨率 彩色550电视线,黑白700电视线

制式 PAL/NTSC制式

镜头 38倍光学变焦f=3.3(广角端)125.4mm(远端)F1.2~F3.6

数字变焦 12 倍(456 倍变焦)

信噪比 大于 50dB

支持聚焦系统 自动/手动,独有夜间快速聚焦技术

视 角(水平方向) 59.9°(Wide)~3°(Tele)

视频降噪 有

激光器功率 18W,标称距离激光充满摄像机视场

照明角度 2°~48°,电动连续调节

同步变焦和手动变焦双重功能

激光波长 0.8-2.5um

光斑匀化 无规相位板(BRP)匀化技术

激光镜头 非球面镜片,红外增透率达99%

安全防护 功率密度自动限制,可选自动关闭功能

激光器电源 三级保护、延时启动、数字滤波

激光器预期寿命 20000小时以上

光斑存储功能 国内独有的光斑存储功能,用户可根据需要自主调节光斑的大小并存储

HPLM激光镜组件 HPLM激光镜组件,保证光斑光轴不跑偏

FTIS、ATPC保护技术 采用FTIS、ATPC等多重先进保护技术,确保激光器的使用寿命。

光轴较准 二维轴向调节,预留外部调节孔

激光器类型 军工A级大功率半导体激光器

日夜转换 光敏/摄像机/定时,双滤光片自动切换

菜单 中英文

隐私遮蔽 开/关(4区域)

视频输出 BNC, 1.0Vp-p(负同步)

水平手动控制速度 0°~100°/S

上下手动控制速度 0°~65°/S

水平角度 360°无限位

垂直角度 90°~-90°

预置位 128个预置位 (预置位精确度0.025),断电后不丢失,不偏离

云台焦距比例控制 开/关

经纬度位置显示 开/关

空闲时间功能 1-240分钟,调用预置位、左右扫描、巡视组

定时功能 定时彩转黑、报警、花样扫描

手动除雾 远程控制打开/关闭

标题编辑 支持ABC输入,abc输入,数字输入,智能拼音输入,字符输入

巡视组 4条巡视轨迹

巡视组巡视点数量

16个预置位

花样扫描 4条花样扫描

协议 PELCO-D/P

波特率 1200/2400/4800/9600

地址范围 1~255

报警功能 4路输入:常开,闭合报警 1路输出:常闭输出

环境温度 -35°C~65°C

可在3500米以下高原气候使用

相对湿度 10-90%

防护等级 IP66

重量 净重8KG

电源 AC24V

功耗 带加热器76W,不带加热器56W

抗风能力 风速每小时90英里下正常工作,最大可承受130英里的风速

防雷功能 电源接口4500V,通讯和视频2500V

不知能否帮你解惑。

光电子材料

optoelectronic material

在光电子技术领域应用的,以光子、电子为载体,处理、存储和传递信息的材料。光电子技术是结合光学和电子学技术而发展起来的一门新技术,主要应用于信息领域,也用于能源和国防领域。已使用的光电子材料主要分为光学功能材料、激光材料、发光材料、光电信息传输材料(主要是光导纤维)、光电存储材料、光电转换材料、光电显示材料(如电致发光材料和液晶显示材料)和光电集成材料。

(一)新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件

1、光电子基础材料、生长源和关键设备

研究目标:突破新型生长源关键制备技术,掌握相关的检测技术;突破半导体光电子器件的基础材料制备技术,实现产业化。

研究内容及主要指标:

1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技术(B类,要求企业负责并有配套投入)

2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类,要求企业负责并有配套投入)

3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类)

4) 衬底材料制备与加工技术(B类)

重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等衬底材料的高标抛光产业化技术(Epi-ready级);大尺寸(>2")蓝宝石衬底材料制备技术和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割技术。

5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键设备技术(A类)

大面积(对角线>14〃)的定向排列碳纳米管或纳米棒薄膜生长的关键技术等离子体平板显示用的新型高效荧光粉的关键技术。

2、人工晶体和全固态激光器技术

研究目标:研究探索新型人工晶体材料与应用技术,突破人工晶体的产业化关键技术,研制大功率全固态激光器,解决产业化关键技术问题。

研究内容及主要指标:

1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器(A类)

2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器件 (A类)

3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术(B类),高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类),基于全固态激光器的全色显示技术(A类)

4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块产业化技术(B类)

5) Yb系列激光晶体技术(A类)。

3、新型半导体材料与光电子器件技术

研究目标:重点研究自组装半导体量子点、ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新型半导体材料及光电子器件技术。

研究内容及主要指标:

1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术,研制短波长光电子器件 (A类)

2) 自组装量子点激光器技术 (A类)

3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A类)

4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)

4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)

研究目标:发展人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件表征评价技术,解决产业化质量控制关键技术。

研究内容:重点研究人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新技术,相关产品测试条件与数据标准化研究。

5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究(A类)

研究目标:提出光电子新材料、新器件的构思,为原始创新提供理论概念与设计

研究内容:针对光电子技术的发展需求,结合本主题的研制任务,采用建立分析模型、进行计算机模拟,在不同尺度(从原子、分子到纳米、介观及宏观)范围内,阐明材料性能与微观结构的关系,以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题,预测新结构、新性能,预报新效应,以利材料研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价技术和设备。

(二)通信用光电子材料、器件与集成技术

1、集成光电子芯片和模块技术

研究目标:突破并掌握用于光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)方面的材料和芯片的关键工艺技术,以典型器件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善,探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展的途径,促进芯片、模块和组件的产业化。

研究内容及主要指标:

1) 光电集成芯片技术

(1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成光发射机芯片及模块关键技术(A类)

(2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模块关键技术(A类)

2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片及模块关键技术(A类)

3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技术(B类)

4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8以上阵列光开关关键技术(A类)

5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)的无生产线设计技术研究(A类)

2、 通信光电子关键器件技术

研究目标:针对干线高速通信系统和密集波分复用系统、全光网络以及光接入网系统的需要,重点进行一批技术含量高、市场前景广阔的目标产品和单元技术的研究开发,迅速促进相应产品系列的形成和规模化生产,显著提高我国通信光电子关键器件产业的综合竞争能力。

研究内容及主要指标:

(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术,直接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术,光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产技术;(均为B类,要求企业负责并有配套投入)

(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动态增益均衡关键技术(A类);

(3) InGaNAs高性能激光器研究(A类);

(4) 光波长变换器关键技术和目标产品(B类);

(5) 可调谐激光器目标产品(A类);

(6) 用于无源光网络(EPON)的突发式光收发模块关键技术和目标产品(B类)。

3、光纤制造新技术及新型光纤

研究目标:研究开发并掌握具有自主知识产权的光纤预制棒制造技术;研究开发新一代通信光纤,推动光纤通信系统在高速、大容量骨干网以及接入网中的应用。

研究内容和主要指标:

1) 光纤预制棒制造新技术(B类,要求企业负责并有配套投入);

2) 新型特种光纤(A类)。

(三)面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件

1.GaN材料和器件技术

研究目标:重点突破用于蓝光激光器衬底的GaN体单晶生长技术。

研究内容及主要指标:

大面积、高质量GaN体单晶生长技术。

2、超高亮度全色显示材料与器件应用技术

研究目标:研究开发用于场致电子发射平板显示器(FED)材料和器件结构,以及超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术。

说明:等离子体平板显示器和高亮度、长寿命有机发光器件(OLED)和FED的产业化关键技术将于"平板显示专项"中考虑。

研究内容及主要指标:

1) 超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术(A类)

2) 研制FED用的、能够在低电压下工作的新型冷阴极电子源结构、新型冷阴极电子发射材料(A类)。

3、超高密度光存储材料与器件技术

研究目标:发展具有自主知识产权的超高密度、大容量、高速度光存储材料和技术,达到国际先进水平,为发展超高密度光存储产业打下基础。

研究内容及主要指标:

1) DVD光头用光源和非球面透镜等产业化关键技术(B类);

2) 新型近场光存储材料和器件(A类)。

4、光传感材料与器件技术

研究目标:以特殊环境应用为目的,实现传感元器件的产业化技术开发;研究开发新型光电传感器。

研究内容及主要指标:

1) 光纤光栅温度、压力、振动传感器的产业化技术(B类,要求企业负责并有配套投入)

2) 锑化物半导体材料及室温无制冷红外焦平面探测器技术(A类)

3) 大气监测用高灵敏红外探测器及其列阵(A类)

4) 基于新概念、新原理的光电探测技术(A类)

5、新型有机光电子材料及器件

研究目标:研究开发新型有机半导体材料及其在光显示等领域的应用。

研究内容及主要指标::

1) 有机非线性光学材料及其在全光光开关中的应用(A类)

2) 有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术(A类)。


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