什么是半导体功率器件？

功率半导体器件，嘿嘿，本人的本行。功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。给个数量吧，电压处理范围从几十V~几千V，电流能力最高可达几千A。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等等。

早期的功率半导体器件：大功率二极管、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件）

后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛啦，在计算机、通行、消费电子、汽车电子为代表的4C行业（computer、communication、consumerelectronics、cartronics），功率半导体器件可以说是越来越火，现在不是要节能环保吗，低碳生活，那就需要对能量的处理进行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV吗，所以就需要对电压电流的运用进行有效的控制，这就与功率器件密不可分！功率管理集成电路（PowerManagementIC，也被称为电源管理IC）已经成为功率半导体器件的热点，发展非常迅速噢！

功率半导体器件，在大多数情况下，是被作为开关使用（switch），开关，简单的说，就是用来控制电流的通过和截断。那么，一个理想的开关，应该具有两个基本的特性：

1，电流通过的时候，这个理想开关两端的电压降是零

2，电流截断的时候，这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小，也就是0~无穷大

因此，功率半导体器件的研究和发展，就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件，已经具有很好的性能了，在要求的电压电流处理范围内，可以接近一个比较理想的开关。

好了，扯了这么多，举几个功率半导体器件的例子吧，刚才已经说了，功率二极管，晶闸管，还有功率BJT（就是功率双极型晶体管）这些都是第一代产品了，比较老的了，第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。

VDMOS即（verticaldouble-diffusionMOSFET）是纵向器件，多用于分立器件；LDMOS即（Lateraldouble-diffusionMOSFET），是横向器件，其三个电极均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成电路领域。IGBT即（InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极型晶体管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。IGBT目前非常火啊，国内才刚刚起步，大量需要IGBT的高技术人才，这个有钱途的。

扯了好多啊，先就这么多吧，要细说的话，可以说一天。希望我的回答对你有帮助，一字一句都是原创，望采纳

通常N+源区和浓硼P+区均由扩散或注入形成。当栅源电压Vcs大于器件的开启电压V时，P区表面由耗尽变为强反型的电子积累层，表面形成强反型，反型层为N+源区和溧移区之间提供了导电通路，于是在正的漏压作用下源漏间形成了电流《通过N源移区和沟道)。在漏源电压VDs作用下，由源极流向漏极外延层，经外延层垂直漂移至衬底漏极，形成源漏电流ID:在漏端电压下，电流主要受开态电阻的影响，其中开态电阻由沟道和漂移区的电阻构成，随着栅偏压的增加，沟道电阻减小。当Vos小于Va时，VDMOS进入关态、由于栅压小于开启电压。电子将不再被吸引到沟道，不存在导电沟道，漏极与源极之间形成一个反偏PN结，这时耗尽层主要扩散在外延层一侧，可以 维持较高的阻断电压。由于从源到漏的导电通道 断开，功率VDMOS迅速由开态转为关态，因此不会出现双极器件中所看到的与少子存储及复合有关的开关转换延迟过程，关断时间仅由从栅极移走电荷的速率决定。由栅电极上的电荷决定了沟道的电导率，因此利用中等强度的栅电流为器件的栅电容放电，即可使器件的开关时间很短.

---