高压线上的半导体层起什么作用

高压线上的半导体作用是：当屏蔽层

在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层，同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电的因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层，

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

静电对电子产品的损害有多种形式，其中最常见、危害最大的是静电放电（ESD）。带静电的物体与元器件有电接触时，静电会转移到元器件上或通过元器件放电；或者元器件本身带电，通过其它物体放电。这两种过程都可能损伤元器件，损伤的程度与静电放电的模式有关。实际过程中静电的来源有很多，放电的形式也有多种。但通过对静电的主要来源以及实际发生的静电放电过程的研究认为，对元器件造成损伤的主要是三种模式，即带电人体的静电放电模式、带电机器的放电模式和充电器件的放电模式。图1.3和1.4分别是人体放电和充电器件放电的实例图。

1.带电的人体的放电模式（HBM）

由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦，又与元器件接触，所以人体易带静电，也容易对元器件造成静电损伤。普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。带静电的人体可以等效为图1.5的等效电路，这个等效电路又称人体静电放电模型（Human Body Model）。其中，Vp带静电的人体与地的电位差，Cp带静电的人体与地之间的电容量，一般为50-250pF；Rp人体与被放电体之间的电阻值，一般为102-105Ω

人体与被放电体之间的放电有两种。即接触放电和电弧放电。接触放电时人体与被放电之间的电阻值是个恒定值。电弧放电是在人体与被放电体之间有一定距离时，它们之间空间的电场强度大于其介质（如空气）的介电强度，介质电离产生电弧放电，暗场中可见弧光。电弧放电的特点是在放电的初始阶段，因为空气是不良导体，放电通道的阻抗较高，放电电

流较小；随着放电的进行，通道温度升高，引起局部电离，通道阻抗逐渐降低，电流增大，直至达到一个峰值；然后，随着人体静电能量的释放，电流逐渐减少，直至电弧消失.

2.带电机器的放电模式

机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。机器放电的模型（Machine Model）如图1.6所示。与人体模式相比，机器没有电阻，电容则相对要大。

3.充电器件的放电模型 （CDM）

在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦，壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时，壳体将通过芯体和引出腿对地放电。这种形式的放电可用所谓带电器件模型（Charged-Device Model，CDM）来描述。下面以双极型和MOS型半导体器件为例给出静电放电的等效电路。

双极型器件的CDM等效电路如图1.7（a）所示，Cd为器件与周围物体及地之间的电容，Ld为器件导电网络的等效电感，Rd为芯片上放电电流通路的等效电阻。串联着的Rd、Cd和Ld等效于带电器件。开关S合上表示器件与地的放电接触，接触电阻为Rc。

MOS器件的CDM等效电路如图1.7（b）所示。由于MOS器件各个管腿的放电时间长短相差很大，所以要用不同的放电通路来模拟，每条放电通路都用其等效电容、电阻和电感来表示。当开关S闭合而且有任一个管腿接地时，各通路存储的电荷将要放电。若在放电过程中，各个通路的放电特性不同，就会引起相互间的电势差。这一电势差也会造成器件的损坏，如栅介质击穿等。

器件放电等效电容Cd的大小和器件与周围物体之间的位置及取向有关，表1.7给出了双列直插封装器件在不同取向时的等效电容值，可见管壳的取向不同，电容可相差十几倍，因而其静电放电阈值可以有显著差别。

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