IGBT怎么测量好坏

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“ ”挡来测量PN结正向压降进行判断。

检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大。

最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

拓展资料：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

参考资料： 百度百科-IGBT

必须进行。功率半导体封装测试是必须进行的，主要目的是检查元件机械性能、电气性能和热特性，以确保半导体元件安全可靠地工作。常见的封测内容包括对元件外壳温度、功耗、静态数字质量、电性能及放大器，此外，还将对模拟调制器焊盘进行拉力测试，并对元件内部连接线及元器件的耐久性进行测试。

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