半导体怎么封装 半导体封装方法

半导体封装件的制作方法及半导体封装件。该半导体封装件的制作方法包括。在第一晶片上形成分离层；在所述分离层上形成帽；使用衬垫键合所述帽和第二晶片；将所述第一晶片和所述帽分离，形成包括所述帽、所述衬垫和所述第二晶片的半导体封装件；其中，所述第二晶片上具有谐振器，所述谐振器包括衬底和多层结构，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体，使用帽结构对第二晶片上具有特殊腔体结构的谐振器等器件或结构进行隔离和保护，从而制造出结构性能更稳定、更优越的半导体封装件。

球形键合，一般弧度高度是150μm，弧度长度要小于100倍的丝线直径；键合头尺寸不要超过焊盘尺寸的3/4，球尺寸一般是丝线直径的2到3倍，细间距约1.5倍。

楔形键合，焊盘尺寸必须支持厂的键合点和尾端，焊盘长轴必须在丝线的走线方向，焊盘间距因适合于固定的键合间距。

键合的失效情况介绍：

1、焊盘产生d坑(Cratering)。这是一种超声键合中常见的一种缺陷，指焊盘金属化下面的半导体玻璃或者其他层的破坏。像一块草皮形状，更一般的是难以肉眼看得见。它会影响电性能。

原因有多种：过高的超声能导致Si晶格点阵的破坏积累、太高或者太低的键合压力(wedge) 、球太小导致坚硬的键合头接触了焊盘。1.3微米厚的焊盘发生破坏的可能性小，小于0.6微米厚的焊盘容易破坏。丝线和焊盘硬度匹配可达到最优的效果，在AI的超声键合中，丝线太硬容易导致d坑的产生。

2、键合点开裂和翘起：键合点的后部过分地被削弱，而前部过于柔软会导致开裂。在弧度循环中丝线太柔软也是一个导致这种现象产生的原因。这种开裂常常发生在AI楔形键合第一点和球形键合的第二点。

3、键合点尾部不一致：丝线的通道不干净、丝线的进料角度不对、劈刀有部分堵塞、丝线夹太脏、不正确地丝线夹距或者夹力、丝线张力不对等。尾部太短会导致键合力加在过小的面积上，产生较大的变形太长又会导致焊盘间的短路。

4、键合点剥离：当键合头将丝线部分拖断而不是截断的时候会发生这种情况。常常由于工艺参数选择不对或者是工具已经老化失效的原因。

5、引线框架腐蚀：镀层污染过多和较高的残余应力会导致这种腐蚀。例如42号合金或者铜上镀Ni就会发生中问题；在组装过程中，引脚弯曲会产生裂纹，并暴露在外部腐蚀条件下，同时应力腐蚀导致的裂纹也会萌生；在一定温度、湿度和偏压下，腐蚀就会因为污染、镀层中的孔隙等而发生。

我今天焊的板子也是这个问题，你把芯片底部的纸撕掉了吗？我都忘了撕掉，从后面的孔里把纸弄破，然后用万用表测量底部是否与GND短路。可能是你的底部直接与焊盘接触在一起了，或者是下载跟那个接地没关系，感觉这个回答很不专业。。。。。

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