实验名称：PN 结正向电压温度特性的测定
1 实验目的
1）了解PN 结正向电压随温度变化的基本规律。
2）掌握用计算机测绘恒流条件下PN 结正向电压随温度变化的关系曲线。
3）确定PN 结的测温灵敏度。
2 实验仪器
科学工作室接口、放大器、恒流源、计算机
3 实验原理
3.1实验原理
PN 结是半导体器件的核心。在P （或N ）型半导体中，用杂质补偿的方法将其中一部分材料转变成N （或P ）型，这样，在两种材料交界处就形成了PN 结，它保持了两种材料之间晶格的连续性。P 区多子空穴比N 区少子空穴浓度大，空穴由P 区向N 区扩散，并与N 区的多子自由电子复合，在N 区产生正离子的电荷区；N 区多子自由电子比P 区少子自由电子浓度大，自由电子由N 区向P 区扩散，并与P 区的多子空穴复合，在P 区产生负离子的电荷区。P 区和N 区的电荷区之间形成电场，在此电场作用下产生与扩散运动相反的情况，它阻止扩散运动的进一步加强。最终形成两种运动的动态平衡。我们把这个空间电荷区叫PN 结，有时也叫作耗尽层。根据半导体理论，通过PN 结的正向电流
e I I
kT qV s f =
（1） 式中：I f ——正向电流（mA ）；V f ——正向压降（V ）；I s ——反向饱和电流（mA ）；q
电子电量（e ）；k ——波尔兹曼常数；T ——热力学温度（K ）。
而：e T I kT V go
q B A s -=
（2）
式（2）中：V go ——能带间隙电压（V ）；A 、B ——由PN 结工艺结构所决定的常数。
由（1）、（2）式经整理后，PN 结正向压降的温度灵敏度S 为：
)(q kB T f go dT f d S V V V +--== （3）
根据这一特性，PN 结可作为温度传感器来使用。
3.2实验方法
本实验通过电加热的方法提供给PN 结一个温度可以变化的热源，利用精确的温度传感器测量温度。把待测的PN 结放置热源中，并利用恒流源给定待测PN 结一个恒定电流，PN 结两端则接入一高稳定放大器进行电压放大后，连接到自定义电压传感器来测量电压。温度传感器和电压传感器测量到的信号分别输入到500型科学工作室接口上，通过串行口与计算机连接，对电压随温度变化的数值进行实时采集。
3.2.1 温度测量方法
温度测量采用美国PASCO 公司提供的温度传感器，其温度输入与电压输出的关系式为15
.273)36000(ln 10144.136000ln 10045.210253.81
3744-⨯+⨯+⨯=---V V T （4）
根据（4）式，利用科学工作室的“实验计算机”功能，可以对温度进行实时测量。
3.2.2 电压测量方法
电压的测量采用PASCO 公司提供的电压传感器，由于采集的电压是经过放大的，因此其实际的电压输出为
A V V i （i V 为经放大后的电压，A 为放大器的放大倍数）。根据该
式，应用科学工作室的“用户自订传感器”的功能进行电压的测量。
图55—1 PN 结正向压降温度特性测定 3.3 实验内容
3.3.1 装置安装及连接
1） 按图55—1连接好实验装置。电压传感器连接到500型科学工作室的B 接口，传
感器的另外一端红色和黑色插头则分别接到电压放大器对应的红、黑输出端。恒流源的“+”输出端接到PN 结的“+”端，“-”端则连接到PN 结的“-”端。电压放大器的“+”、“-”输入端，同时分别接入恒流源的“+”、“-”输入端。
2） 待测PN 结和温度传感器则分别接入恒流源的“+”、“-”输出端。
3） 待测PN 结置入加热装置中，热敏电阻温度传感器接入科学工作室接口的C 口上。
3.3.2 电压传感器的设置
1） 熟悉PASCO 科学工作室的软件功能及使用方法。
2） 打开500型接口电源，点击科学工作室小图标，则软件自动进入工作界面。如图
55—2所示。
图55—2 科学工作室界面
3）进行科学工作室的数据采集设置。用鼠标选中模拟通道图标，按住鼠标左键并拖动
到B 接口。在传感器列表框中选择“电压传感器”，点击确定。用相同方法为C 接口选择“自订传感器”。结果如图55—2所示。
4）电压传感器的设置。鼠标移动至B 接口下的“电压传感器”图标并双击。系统默
认的电压高值为10V ，电压低值为-10V 。按图55—3所示进行相关参数的设定。在“高值”的空格中填入的数据为放大器上电压示值与放大倍数相比的结果。点击确定。
图55—3 电压传感器参数设置图 3.3.3 温度传感器的设置
1）为C 口设置一个温度传感器。
2）温度传感器的计算公式。点击科学工作室主界面“实验”下拉菜单，从下拉菜单
中选中“计算机视窗”，然后在d出的“实验计算机”（如图55—4所示）进行传感器设置。在计算名称框中填写“温度”， 简称框输入“T ”，单位框输入“℃”等字样。而后按回车键，紧接着进行计算公式编辑，在编辑框中输入计算公式：
15.273)36000(ln 10144.136000ln 10045.210253.813744-⨯+⨯+⨯=---V V T
式中的指数、对数可从)(x f 的标准函数取得，电压输入V 可从点击Input 键后连接到接口C ，并选中电压传感器，公式编辑好再按回车键，计算机便可把“C ”口采到温度传感器的输出电压输入到公式中进行计算并给出计算结果。
图55—4 实验计算机
3.3.4 数据采集及数据显示的设置
把二维图表拖入到B 或C 口，横坐标轴选“实验计算机”，纵坐标轴选电压V 。用鼠标点采样选项，单选项点慢，采样周期为5秒左右。
3.3.5 PN 结正向压降温度特性的测定
1） 待测样品选择二极管，接入恒流源。打开恒流源开关，调节其输出使二极管饱导
通。
2） 双击REC 图标，计算机开始进行数据采集，接通加热装置电源，使其温度从低到
高慢慢升高，观察计算机显示的V B ~T 关系曲线。当温度接近90 0C 时，用鼠标点击“Stop ”图标停止数据采集，同时断开加热装置的开关停止加热。
3）在曲线上确定两点，用坐标测量工具测量对应的数据。
4 教学内容
1．简要讲解实验原理（PN 结半导体器件的工作原理）。
2．介绍有关仪器及其使用方法（温度传感器与电压传感器的使用），在讲解科学工作室
的使用时结合提问题检查学生的预习情况，让学生学会用实验计算机来设定非线性输入输出
表一 锗管正向压降随温度变化数据I= 1 mA
的用户自定义传感器的各项参数。
3．讲解实验 *** 作要领及 *** 作难点。
①恒流源的恒定电流I =1mA(锗管)或I =2~8mA(硅管)，不宜太大太小，恒流源不宜空
载，在更换二极管时，一定要关闭电源开关。加热过程中要保证传感器探头、PN 结与加热器接触良好。
②用投影仪边演示边让学生学习使用500型科学工作室， *** 作上要注意软件的接口连接
及设置。
4．检查学生实验状况及测量结果，并给出相应的评定结果。
5．根据评分标准批改实验报告并给出成绩。
5 实验教学组织及教学要求
1． 教学组织
1） 检查学生的预习实验报告，同时给学生5-10分钟时间熟悉仪器，对本实验有
一定的感性认识。
2） 讲解实验要点及注意事项，同时以提问的方式检查学生的预习情况，加深学生
对实验原理的理解。
3） 随时注意学生的实验 *** 作过程，及时指导解决学生实验中出现的突发情况。
4） 检查每个学生的实验数据，记录实验情况。
2． 教学要求
1） 了解PN 结半导体器件的工作原理。
2） 培养学生运用计算机进行综合物理实验的能力。
3） 培养学生会使用500型科学工作室，会用实验计算机来设定非线性输入输出的
用户自定义传感器的各项参数。
6 实验教学重点及难点
1）重点：PN 结正向压降温度特性的测定。
2）难点：熟练使用500型科学工作室，会用实验计算机来设定非线性输入输出的用户
自定义传感器的各项参数。
7 实验中容易出现的问题
1）实验计算机中的公式输入。
2）传感器的各项设置。
3）与加热器的各接触点不够紧密。
8 实验参考数据
.
001648.0812.4808042.0559.31371.8033761.025719.0-=-=--=∆∆=T V k (v/℃)
5101.4300005.02322-⨯=⨯=∆=
=mv Bv v U U （v ）
3
101.43005
.02322-⨯=⨯=∆==mT
BT T U U （℃）
T （℃） V （v ） 2a (v/℃)
31.559 0.33761 -0.0016533
80.371 0.25719
44232522105102.5812.48101.408042.0101.4----⨯=⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯=⎪⎭⎫ ⎝⎛∆+⎪⎭⎫ ⎝⎛∆=T U V U E T v k
774109106.8102.5001648.0---⨯=⨯=⨯⨯==k k kE U (v/℃)
%
05.0)(10)001.0648.1(3=⨯±=±=-k k E C V U k k (P=0.683)
9 检查采集到的PN 结正向压降随温度变化分布图是否合理。 10 课堂实验预习检查题目
1） 学生预习报告是否完整（实验项目、实验目的、实验原理、实验步骤、记录表格等）？
2） PASCO 科学工作室的有关设置及使用，B 、C 口分别接什么传感器？用于测定什么
物理量？
3） 铜柱体的三个小孔为什么在同一个同心圆上？
11 思考题
1） 比较用户自定义和实验计算机两种传感器定义方法异同点？何时使用实验计算机
进行传感器的定义？
2） 测量值的不确定度如何确定？示值误差如何确定？
3） 通过PN 结的电流大小是非常重要的参数，试分析其对测温灵敏度的影响？
实验注意事项：1）加热后的铜柱不能用手直接接触，避免烫伤手等。
2）PN 结测件两接线柱不能接触铜块。
{
百度文库VIP已帮您省153元现在续费最低仅需0.3元/天
立即续费
大学物理实验报告实验55PN结正向电压温度特性的测定
大学物理实验教案
实验名称：PN 结正向电压温度特性的测定
1 实验目的
1）了解PN 结正向电压随温度变化的基本规律。
2）掌握用计算机测绘恒流条件下PN 结正向电压随温度变化的关系曲线。
3）确定PN 结的测温灵敏度。
2 实验仪器
科学工作室接口、放大器、恒流源、计算机
第 1 页
3 实验原理
3.1实验原理
PN 结是半导体器件的核心。在P （或N ）型半导体中，用杂质补偿的方法将其中一部分材料转变成N （或P ）型，这样，在两种材料交界处就形成了PN 结，它保持了两种材料之间晶格的连续性。P 区多子空穴比N 区少子空穴浓度大，空穴由P 区向N 区扩散，并与N 区的多子自由电子复合，在N 区产生正离子的电荷区；N 区多子自由电子比P 区少子自由电子浓度大，自由电子由N 区向P 区扩散，并与P 区的多子空穴复合，在P 区产生负离子的电荷区。P 区和N 区的电荷区之间形成电场，在此电场作用下产生与扩散运动相反的情况，它阻止扩散运动的进一步加强。最终形成两种运动的动态平衡。我们把这个空间电荷区叫PN 结，有时也叫作耗尽层。根据半导体理论，通过PN 结的正向电流
第 2 页
e I I
kT qV s f =
（1） 式中：I f ——正向电流（mA ）；V f ——正向压降（V ）；I s ——反向饱和电流（mA ）；q
电子电量（e ）；k ——波尔兹曼常数；T ——热力学温度（K ）。
而：e T I kT V go
q B A s -=
（2）
式（2）中：V go ——能带间隙电压（V ）；A 、B ——由PN 结工艺结构所决定的常数。
第 3 页
由（1）、（2）式经整理后，PN 结正向压降的温度灵敏度S 为：
)(q kB T f go dT f d S V V V +--== （3）
根据这一特性，PN 结可作为温度传感器来使用。
3.2实验方法
本实验通过电加热的方法提供给PN 结一个温度可以变化的热源，利用精确的温度传感器测量温度。把待测的PN 结放置热源中，并利用恒流源给定待测PN 结一个恒定电流，PN 结两端则接入一高稳定放大器进行电压放大后，连接到自定义电压传感器来测量电压。温度传感器和电压传感器测量到的信号分别输入到500型科学工作室接口上，通过串行口与计算机连接，对电压随温度变化的数值进行实时采集。
第 4 页
3.2.1 温度测量方法
温度测量采用美国PASCO 公司提供的温度传感器，其温度输入与电压输出的关系式为15
.273)36000(ln 10144.136000ln 10045.210253.81
3744-⨯+⨯+⨯=---V V T （4）
根据（4）式，利用科学工作室的“实验计算机”功能，可以对温度进行实时测量。
3.2.2 电压测量方法
电压的测量采用PASCO 公司提供的电压传感器，由于采集的电压是经过放大的，因此其实际的电压输出为
第 5 页
A V V i （i V 为经放大后的电压，A 为放大器的放大倍数）。根据该
式，应用科学工作室的“用户自订传感器”的功能进行电压的测量。
图55—1 PN 结正向压降温度特性测定 3.3 实验内容
3.3.1 装置安装及连接
第 6 页
1） 按图55—1连接好实验装置。电压传感器连接到500型科学工作室的B 接口，传
感器的另外一端红色和黑色插头则分别接到电压放大器对应的红、黑输出端。恒流源的“+”输出端接到PN 结的“+”端，“-”端则连接到PN 结的“-”端。电压放大器的“+”、“-”输入端，同时分别接入恒流源的“+”、“-”输入端。
2） 待测PN 结和温度传感器则分别接入恒流源的“+”、“-”输出端。
3） 待测PN 结置入加热装置中，热敏电阻温度传感器接入科学工作室接口的C 口上。
第 7 页
3.3.2 电压传感器的设置
1） 熟悉PASCO 科学工作室的软件功能及使用方法。
2） 打开500型接口电源，点击科学工作室小图标，则软件自动进入工作界面。如图
55—2所示。
图55—2 科学工作室界面
第 8 页
3）进行科学工作室的数据采集设置。用鼠标选中模拟通道图标，按住鼠标左键并拖动
到B 接口。在传感器列表框中选择“电压传感器”，点击确定。用相同方法为C 接口选择“自订传感器”。结果如图55—2所示。
4）电压传感器的设置。鼠标移动至B 接口下的“电压传感器”图标并双击。系统默
认的电压高值为10V ，电压低值为-10V 。按图55—3所示进行相关参数的设定。在“高值”的空格中填入的数据为放大器上电压示值与放大倍数相比的结果。点击确定。
第 9 页
图55—3 电压传感器参数设置图 3.3.3 温度传感器的设置
1）为C 口设置一个温度传感器。
2）温度传感器的计算公式。点击科学工作室主界面“实验”下拉菜单，从下拉菜单
中选中“计算机视窗”，然后在d出的“实验计算机”（如图55—4所示）进行传感器设置。在计算名称框中填写“温度”， 简称框输入“T ”，单位框输入“℃”等字样。而后按回车键，紧接着进行计算公式编辑，在编辑框中输入计算公式：
第 10 页
15.273)36000(ln 10144.136000ln 10045.210253.813744-⨯+⨯+⨯=---V V T
式中的指数、对数可从)(x f 的标准函数取得，电压输入V 可从点击Input 键后连接到接口C ，并选中电压传感器，公式编辑好再按回车键，计算机便可把“C ”口采到温度传感器的输出电压输入到公式中进行计算并给出计算结果。
第 11 页
图55—4 实验计算机
3.3.4 数据采集及数据显示的设置
把二维图表拖入到B 或C 口，横坐标轴选“实验计算机”，纵坐标轴选电压V 。用鼠标点采样选项，单选项点慢，采样周期为5秒左右。
3.3.5 PN 结正向压降温度特性的测定
1） 待测样品选择二极管，接入恒流源。打开恒流源开关，调节其输出使二极管饱导
通。
第 12 页
2） 双击REC 图标，计算机开始进行数据采集，接通加热装置电源，使其温度从低到
高慢慢升高，观察计算机显示的V B ~T 关系曲线。当温度接近90 0C 时，用鼠标点击“Stop ”图标停止数据采集，同时断开加热装置的开关停止加热。
3）在曲线上确定两点，用坐标测量工具测量对应的数据。
4 教学内容
1．简要讲解实验原理（PN 结半导体器件的工作原理）。
第 13 页
2．介绍有关仪器及其使用方法（温度传感器与电压传感器的使用），在讲解科学工作室
的使用时结合提问题检查学生的预习情况，让学生学会用实验计算机来设定非线性输入输出
表一 锗管正向压降随温度变化数据I= 1 mA
的用户自定义传感器的各项参数。
3．讲解实验 *** 作要领及 *** 作难点。
①恒流源的恒定电流I =1mA(锗管)或I =2~8mA(硅管)，不宜太大太小，恒流源不宜空
第 14 页
载，在更换二极管时，一定要关闭电源开关。加热过程中要保证传感器探头、PN 结与加热器接触良好。
②用投影仪边演示边让学生学习使用500型科学工作室， *** 作上要注意软件的接口连接
及设置。
4．检查学生实验状况及测量结果，并给出相应的评定结果。
5．根据评分标准批改实验报告并给出成绩。
5 实验教学组织及教学要求
第 15 页
1． 教学组织
1） 检查学生的预习实验报告，同时给学生5-10分钟时间熟悉仪器，对本实验有
一定的感性认识。
2） 讲解实验要点及注意事项，同时以提问的方式检查学生的预习情况，加深学生
对实验原理的理解。
3） 随时注意学生的实验 *** 作过程，及时指导解决学生实验中出现的突发情况。
4） 检查每个学生的实验数据，记录实验情况。
第 16 页
2． 教学要求
1） 了解PN 结半导体器件的工作原理。
2） 培养学生运用计算机进行综合物理实验的能力。
3） 培养学生会使用500型科学工作室，会用实验计算机来设定非线性输入输出的
用户自定义传感器的各项参数。
6 实验教学重点及难点
1）重点：PN 结正向压降温度特性的测定。
2）难点：熟练使用500型科学工作室，会用实验计算机来设定非线性输入输出的用户
第 17 页
自定义传感器的各项参数。
7 实验中容易出现的问题
1）实验计算机中的公式输入。
2）传感器的各项设置。
3）与加热器的各接触点不够紧密。
8 实验参考数据
.
001648.0812.4808042.0559.31371.8033761.025719.0-=-=--=∆∆=T V k (v/℃)
5101.4300005.02322-⨯=⨯=∆=
第 18 页
=mv Bv v U U （v ）
3
101.43005
.02322-⨯=⨯=∆==mT
BT T U U （℃）
T （℃） V （v ） 2a (v/℃)
31.559 0.33761 -0.0016533
80.371 0.25719
44232522105102.5812.48101.408042.0101.4----⨯=⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯=⎪⎭⎫ ⎝⎛∆+⎪⎭⎫ ⎝⎛∆=T U V U E T v k
第 19 页
774109106.8102.5001648.0---⨯=⨯=⨯⨯==k k kE U (v/℃)
%
05.0)(10)001.0648.1(3=⨯±=±=-k k E C V U k k (P=0.683)
9 检查采集到的PN 结正向压降随温度变化分布图是否合理。 10 课堂实验预习检查题目
1） 学生预习报告是否完整（实验项目、实验目的、实验原理、实验步骤、记录表格等）？
第 20 页
2） PASCO 科学工作室的有关设置及使用，B 、C 口分别接什么传感器？用于测定什么
物理量？
3） 铜柱体的三个小孔为什么在同一个同心圆上？
11 思考题
1） 比较用户自定义和实验计算机两种传感器定义方法异同点？何时使用实验计算机
进行传感器的定义？
2） 测量值的不确定度如何确定？示值误差如何确定？
第 21 页
3） 通过PN 结的电流大小是非常重要的参数，试分析其对测温灵敏度的影响？
实验注意事项：1）加热后的铜柱不能用手直接接触，避免烫伤手等。
2）PN 结测件两接线柱不能接触铜块
简介半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极体，晶体二极体的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种电晶体(又称晶体三极体)。电晶体又可以分为双极型电晶体和场效应电晶体两 类。根据用途的不同，电晶体可分为功率电晶体微波电晶体和低噪声电晶体。除了作为放大、振荡、开关用的 一般电晶体外，还有一些特殊用途的电晶体，如光电晶体、磁敏电晶体，场效应感测器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般电晶体的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结电晶体可用于产生锯齿波，可控矽可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的套用 。
分类 晶体二极体晶体二极体的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种套用领域内制成的二极体有:整流二极体、检波二极体、变频二极体、变容二极体、开关二极体、稳压二极体(曾讷二极体)、崩越二极体(碰撞雪崩渡越二极体)和俘越二极体(俘获电浆雪崩渡越时间二极体)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极体，以及没有PN结的肖脱基二极体和耿氏二极体等。
双极型电晶体它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在套用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型电晶体的电流放大效应。双极型电晶体可分为NPN型和PNP型两类。
场效应电晶体它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。
根据栅的结构,场效应电晶体可以分为三种:
①结型场效应管(用PN结构成栅极)
②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统)
③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极)其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模积体电路的发展中,MOS大规模积体电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波电晶体上。
在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等配上光电二极体列阵，可用作摄像管。
命名方法中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、雷射器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极体、3-三极体
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极体时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三极体时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-雷射器件。
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号
例如:3DG18表示NPN型矽材料高频三极体
日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极体三极体及上述器件的组合管、1-二极体、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控矽、G-N控制极可控矽、H-N基极单结电晶体、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控矽。
第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从"11"开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号数字越大，越是产品。
第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
美国半导体分立器件型号命名方法
美国电晶体或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。
第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极体、2=三极体、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP矽高频小功率开关三极体，JAN-军级、2-三极体、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、义大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下:
第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁频宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如矽、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极体、B-变容二极体、C-低频小功率三极体、D-低频大功率三极体、E-隧道二极体、F-高频小功率三极体、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极体、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极体、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极体、Y-整流二极体、Z-稳压二极体。
第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:
1、稳压二极体型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极体后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如:BDX51-表示NPN矽低频大功率三极体，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极体。
积体电路把晶体二极体、三极体以及电阻电容都制作在同一块矽晶片上，称为积体电路。一块矽晶片上集成的元件数小于 100个的称为小规模积体电路，从 100个元件到1000 个元件的称为中规模积体电路，从1000 个元件到100000 个元件的称为大规模积体电路，100000 个元件以上的称为超大规模积体电路。积体电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视积体电路工业的发展。积体电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。每个晶片上集成256千位的MOS随机存储器已研制成功，正在向1兆位 MOS随机存储器探索。
光电器件 光电探测器光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是最早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外，光电二极体、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极体来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所激发的少量载流子通过接近雪崩的强场区，由于碰撞电离而数量倍增，因而得到一个较大的电信号。除了光电探测器外，还有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。
半导体发光二极体半导体发光二极体的结构是一个PN结，它正向通电流时，注入的少数载流子靠复合而发光。它可以发出绿光、黄光、红光和红外线等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。
半导体雷射器如果使高效率的半导体发光管的发光区处在一个光学谐振腔内，则可以得到雷射输出。这种器件称为半导体雷射器或注入式雷射器。最早的半导体雷射器所用的PN结是同质结，以后采用双异质结结构。双异质结雷射器的优点在于它可以使注入的少数载流子被限制在很薄的一层有源区内复合发光，同时由双异质结结构组成的光导管又可以使产生的光子也被限制在这层有源区内。因此双异质结雷射器有较低的阈值电流密度，可以在室温下连续工作。
光电池当光线投射到一个PN结上时，由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离，因此在PN结两端产生一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。最先套用的日光电池都是用矽单晶制造的，成本太高，不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池，用的材料有多晶矽和无定形矽等。
其它利用半导体的其他特性做成的器件还有热敏电阻、霍耳器件、压敏元件、气敏电晶体和表面波器件等。
未来发展今年是摩尔法则(Moore'slaw)问世50周年，这一法则的诞生是半导体技术发展史上的一个里程碑。
这50年里，摩尔法则成为了信息技术发展的指路明灯。计算机从神秘不可近的庞然大物变成多数人都不可或缺的工具，信息技术由实验室进入无数个普通家庭，网际网路将全世界联系起来，多媒体视听设备丰富著每个人的生活。这一法则决定了信息技术的变化在加速，产品的变化也越来越快。人们已看到，技术与产品的创新大致按照它的节奏，超前者多数成为先锋，而落后者容易被淘汰。
这一切背后的动力都是半导体晶片。如果按照旧有方式将电晶体、电阻和电容分别安装在电路板上，那么不仅个人电脑和移动通信不会出现，连基因组研究、计算机辅助设计和制造等新科技更不可能问世。有关专家指出,摩尔法则已不仅仅是针对晶片技术的法则不久的将来，它有可能扩展到无线技术、光学技术、感测器技术等领域，成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。
毫无疑问，摩尔法则对整个世界意义深远。不过，随着电晶体电路逐渐接近性能极限，这一法则将会走到尽头。摩尔法则何时失效?专家们对此众说纷纭。早在1995年在芝加哥举行信息技术国际研讨会上，美国科学家和工程师杰克·基尔比表示，5纳米处理器的出现或将终结摩尔法则。中国科学家和未来学家周海中在此次研讨会上预言，由于纳米技术的快速发展，30年后摩尔法则很可能就会失效。2012年，日裔美籍理论物理学家加来道雄在接受智囊网站采访时称，"在10年左右的时间内，我们将看到摩尔法则崩溃。"前不久，摩尔本人认为这一法则到2020年的时候就会黯然失色。一些专家指出，即使摩尔法则寿终正寝，信息技术前进的步伐也不会变慢。
图书信息书 名: 半导体器件
作 者:布伦南高建军刘新宇
出版社:机械工业出版社
出版时间: 2010年05月
ISBN: 9787111298366
定价: 36元
内容简介《半导体器件:计算和电信中的套用》从半导体基础开始，介绍了电信和计算产业中半导体器件的发展现状，在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬体和射频功率放大器的实现方法，阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。
《半导体器件:计算和电信中的套用》首先讨论了半导体的基本特性接着介绍了基本的场效应器件MODFET和M0SFET，以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。
作者简介Kevin F Brennan曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被乔治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授，同年还获得特别贡献奖，以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年，他获得乔治亚理工大学教职会员最高荣誉--杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。
图书目录译者序
前言
第1章 半导体基础
1.1 半导体的定义
1.2 平衡载流子浓度与本征材料
1.3 杂质半导体材料
思考题
第2章 载流子的运动
2.1 载流子的漂移运动与扩散运动
2.2 产生-复合
2.3 连续性方程及其解
思考题
第3章 结
3.1 处于平衡状态的pn结
3.2 不同偏压下的同质pn结
3.3 理想二极体行为的偏离
3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容
3.5 肖特基势垒
思考题
第4章 双极结型电晶体
4.1 BJT工作原理
4.2 BJT的二阶效应
4.2.1 基区漂移
4.2.2 基区宽度调制/Early效应
4.2.3 雪崩击穿
4.3 BJT的高频特性
思考题
第5章结型场效应电晶体和金属半导体场效应电晶体
5.1 JFE
光源与照明专业是一门为人类带来光明的边缘交叉学科，在工农业生产、科学研究、交通运输、国防、医疗卫生、商贸办公、文化娱乐和日常生活等国民经济的各个领域都有着其特殊和重要的地位。
除传统照明外，半导体照明技术具有低功耗、高光效、高稳定性、超长使用寿命、无频闪、无环境污染等优点，是一种符合节能环保的绿色照明光源。半导体照明作为21世纪最具发展前景的高新技术领域之一，正在引发世界范围内照明电光源的一场革命，同时，也实现了节省能源，促进社会可持续发展，形成具有重大经济价值与社会意义的高新技术产业。
课程设置，光源与照明专业基础课程
大学物理、高等数学、大学外语、电子线路、工程制图、计算机基础及编程、微机应用等。
光源与照明专业专业课程
光源与照明专业概论、电路理论、模拟电子技术、数字电子技术、信号与系统、高级程序语言设计、单片机原理及应用、半导体照明概论、半导体物理、半导体集成电路、半导体工艺与新光源技术、电气照明技术、非成像光学系统设计、电子设备散热设计与分析、环境照明设计、开关电源的原理与设计、自动控制原理、电力电子技术。
光源与照明专业选修课程
工业产品设计、LED及半导体器件封装、微电子器件基础、EDA与Verilog、光电子技术与应用、供配电技术、工厂电气与PLC、电气工程监理等。
光源与照明专业实践环节
电工实践、电子课程设计、程序设计综合实践、半导体器件封装实践、电气照明综合实践、半导体器件与集成电路实验、半导体照明光源光学设计实践、智能照明设计实践、现代电气EDA技术综合实践、金工实习、半导体照明散热与环境照明实践、毕业实践/实习、毕业设计（论文），以及课外学术活动、科技创新活动、社会实践等。
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）