半导体制冷原理
半导体制冷又称电子制冷,或者温差电制冷,是从50年代发展起来的一门介于制冷技术和半导体技术边缘的学科,它利用特种半导体材料构成的P-N结,形成热电偶对,产生珀尔帖效应,即通过直流电制冷的一种新型制冷方法,与压缩式制冷和吸收式制冷并称为世界三大制冷方式。
半导体制冷器特点
半导体制冷器具有无噪声、无振动、不需制冷剂、体积小、重量轻等特点,且工作可靠, *** 作简便,易于进行冷量调节。但它的制冷系数较小,电耗量相对较大,故它主要用于耗冷量小和占地空间小的场合,如电子设备和无线电通信设备中某些元件的冷却。
有的也用于家用冰箱,但不经济。半导体制冷片是一个热传递的工具。当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成的热电偶对中有电流通过时,两端之间就会产生热量转移,热量就会从一端转移到另一端,从而产生温差形成冷热端。
1nm芯片不是极限。
1nm就是摩尔极限,也就是说,硅基芯片的极限精度理论上只能达到1nm,但由于自然环境的限制,其实际精度永远不可能达到1nm。
制程越小,功耗越小,在实现相同功能的情况下,发热小,电池可使用的时间更长。这就是芯片制程越来越小的主要原因。
台积电已经研发出了3nm芯片制造,本以为自己已经独占鳌头,却让人没有想到的是,近日英特尔突然宣布它们已经突破了芯片的摩尔极限,并且已经研发出三套方案,1nm不再是芯片精度的尽头。
发展:
芯片上有无数个晶体管,他们是芯片的核心,也就说,目前的技术是要把晶体管做的越来越小,这样,芯片上能容纳的晶体管就很多,芯片的性能就随之增加。
而目前最小的是1 nm栅极长度的二硫化钼晶体管。而且,并不是到1nm才会发生击穿效应,而是进入7nm节点后,这个现象就越来越明显了,电子从一个晶体管跑向另一个晶体管而不受控制,晶体管就丧失了原来的作用。
硅和二硫化钼(MoS2)都有晶体结构,但是,二硫化钼对于控制电子的能力要强于硅,众所周知,晶体管由源极,漏极和栅极,栅极负责电子的流向,它是起开关作用,在1nm的时候,栅极已经很难发挥其作用了,而通过二硫化钼,则会解决这个问题,而且,二硫化钼的介电常数非常低,可以将栅极压缩到1nm完全没有问题。
1nm是人类半导体发展的重要节点,可以说,能不能突破1nm的魔咒,关乎计算机的发展,虽然二硫化钼的应用价值非常大,但是,目前还在早期阶段,而且,如何批量生产1nm的晶体管还没有解决,但是,这并不妨碍二硫化钼在未来集成电路的前景。
您好!是六氟化硫(SF6)
1.别名·英文名
Sulfur hexafluoride、Sulfur fluoride.
2.用途
电子设备、雷达波导、粒子加速、变压器、避雷器等的气绝缘体,制冷剂,示踪装置,医疗,半导体制造中的蚀刻、化学相淀积、标准气,检漏气体,色谱仪的载气。
3.制法
在高温下硫和氟反应制得。
S+3F2→SF6
4.理化特性
分子量: 146.054
熔点(224kPa): -50.8℃
升化点(101.325kPa): -63.7℃
液体密度(-50.8℃): 1880kg/m3
气体密度(0℃,101.325kPa): 6.52kg/m3
相对密度(气体,空气=1,20℃,101.325kPa):5.114
比容(21.1℃,101.325kPa):0.1516m3/kg
临界温度: 45.5℃
临界压力: 3759kPa
临界密度: 736kg/m3
压缩系数:
温度
压缩系数
100kPa
1000kPa
2000kPa
3000kPa
15
0.9886
0.8656
50
0.9926
0.9137
0.8113
0.6760
熔化热(222.35K,224kPa): 34.38kJ/kg
气化热(-63.8℃,101.325kPa): 161.61kJ/kg
比热容(气体,25℃,101.325kPa):CP=665.18J/(kg·K)
(液体,225K): C=759.14J/(kg·K)
蒸气压(-20℃): 680kpa。
(0℃): 1250kPa
(30℃): 2680kPa
粘度(101.325kPa,0℃):0.0142mPa·S
(液体,229.85K):0.500mPa·S
表面张力(-50℃): 11.63mN/m
导热系数(101.325kPa,0℃):0.01206W/(m·K)
折射率(气体,0℃,101.325kPa): 1.000783
六氟化硫在常温常压下为无色无臭无毒的气体。不燃烧。对热稳定,化学性质不活泼。在500℃以上赤热状态下也不分解,在800℃以下很稳定。在250℃时与金属钠反应。没有腐蚀性,可以用通用材料,不腐蚀玻璃。电绝缘性能和消弧性能好,绝缘性能为空气的2~3倍,而且气体压力越大,绝缘性能越增高。药物学性质不活泼,没有毒。微溶于水,在酒精和醚中溶解的比在水中多一些。不溶于盐酸和氨。水中的溶解度为:5.4cm3SF4/kgH2O(SF6分压101.325kPa,25℃)。介电常数为:1002049(气体,101.325kPa,25℃)。在21.1℃时S.P.为2308kPa。
5.毒性
最高容许浓度:10ppm(12mg/m3)
六氟化硫在生理学上是不活泼的,在药理学上认为是惰性气体。但是当含有SF4等杂质时便变成有毒物质。当吸入高浓度SF6时可出现呼吸困难、喘息、皮肤和粘膜变蓝、全身痉挛等窒息症状。
6.安全防护
用气装置可用肥皂液检漏。SF6无腐蚀性,可以使用不锈钢、铜、铝等通用材料。发生火灾时可用水和砂土灭火。泄漏的气体,可导入苛性钠和消石灰的混合溶液中处理,或者把泄漏的气瓶放入通风橱内。
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