为什么在半导体设备中的偏压，其射频频率一般都在13.56Mhz？

使用13.56MHz的原因： （1）根据国际通讯协会的规定，13.56MHz(及谐频27.12Mhz、 40.68Mhz) 915Mhz（微波）、2450Mhz（微波），非通讯频段，工业、及无线电爱好者可以使用，由此该频率的电源技术逐渐成熟，生产厂家也多，价格也相应低，选用该频率的用户也多。但在产生等离子体或偏压特性上衡量，13.56MHz并不是最佳选择。 （2）从产生自偏压而言，在13.56MHz范围，同样功率产生的自偏压（仅仅直流自偏压）大， 在芯片的等离子体刻蚀中绝大多数使用电负性气体等离子体，等离子体中有正、负离子。使用400Kz电源产生自偏压时，直流自偏压小，电压的正负半周期几乎对称，正、负离子在平偏压的负、正半周期内通过鞘层加速轰击待刻蚀的Si、SiO2槽、孔，不但提高刻蚀速率，还可以降被刻蚀低绝缘材料的电荷积累，有利于刻蚀深、宽比大的槽、孔，刻蚀后的侧壁形状陡直。 采用13.56MHz偏压源，存在负的自偏压，仅有正离子可以进入刻蚀槽孔、底部，负离子不能穿过鞘层进入刻蚀表面，电子可以在很小的时间段（瞬时偏压为正期间）进入槽、孔，但仅能达到上部，由此造成刻蚀绝缘材料的差分带电，导致刻蚀性能恶化。

因为半导体的主要组成单元是PN结，PN结的显著特征是单向导电性，因为PN结的反向截止区是由耗尽层变宽导致截止，而这个过程是需要一定的时间的，如果频率太高导致时间周期小于截止时间就可能造成半导体器件不能正常工作，所以半导体器件有最高工作频率的限制。

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