电子的速度大约是299792.458km/s。
电子的速度是由量子力学概念,电子的运动可以看成波包的运动,波包的群速就是电子运动的平均速度。设波包是由许多角频率ω相差不多的波组成。
则波包中心的运动速度(即群速)为v=dγ/dk,k为对应的波矢。由波粒二象性,角频率为ω的波,其粒子的能量为hγ,代入上式,得到半导体中电子的速度与能量的关系为v=1/h(dE/dK)。
电子的排布规律:
1、电子是在原子核外距核由近及远、能量由低至高的不同电子层上分层排布。
2、每层最多容纳的电子数为2n2个(n代表电子层数)。
3、最外层电子数不超过8个(第一层不超过2个),次外层不超过18个,倒数第三层不超过32个。
4、电子一般总是尽先排在能量最低的电子层里,即先排第一层,当第一层排满后,再排第二层,第二层排满后,再排第三层。
以上内容参考 百度百科-电子
半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定(迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s);
半导体中的载流子一般包括自由电子和空穴两种.
所以,半导体中通过电流的大小不是仅仅由载流子的数目来决定,也不是仅仅由载流子的速度来决定.
由爱因斯坦方程 D/u = KT/q D 载流子(电子或空穴)扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数. 由于扩散系数的不同,就是说在相同温度下电子与空穴的迁移率不同.其速度为迁移率和电势能的乘积,所以速度不同. PS 至于扩散系数,是由平均自由城和平均自由时间等搞出~空穴的D一般比电子的D小~~欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)