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是由于半导体封装内部不同的封装材料(芯片,铜框架,银浆 及塑封胶)的热膨胀系数,杨氏模量的不同, 在温度变化时而产生的内应力,这种热-机械应力轻则可以导致半导体封装内部的分层(delamination) ,半导体封装体的翘曲,重则可以导致半导体封装内芯片的断裂(die crack), 焊线的焊点脱焊(lift bond),直至半导体器件失效。因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于掺杂半导体:温度很低时,本征激发忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加;散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降。温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大。温度继续升高到本征激发快速增加时,本征激发称为主要影响因素,表现出同本证半导体相同的特征。
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