“新基建”的激励之下，市场对电力电子设备的需求越来越强烈，这为功率半导体器件行业的发展添了一把火。在功率半导体领域深耕多年的华微电子，也携带自身优势，率先入局新基建赛道，助推行业发展。
在过去的半个多世纪中，华微电子持续突破诸多关键技术，加速推动功率半导体器件的国产化替代，助力我国工业强基与民族产业发展，成为具有国际竞争力的功率半导体企业。
现如今，华微电子厚积薄发，在国内功率半导体器件市场低端产品竞争加剧且中高端产品大量依赖进口的形势下，华微电子也加快高端产品的推广和研发布局，从2016 年开始，华微电子便开始规划生产高性能功率器件，包括超结MOSFET、CCTMOSFET、Trench FS IGBT、超高压快恢复二极管、Trench肖特基产品和大功率IGBT模块等。
未来几年，随着新能源汽车、5G通信等新兴产业日益崛起，功率半导体市场需求势必会持续增长，而作为国内主要功率半导体生产商之一的华微电子，其具有全系列的功率半导体器件门类，随着国内功率半导体器件市场保持快速且稳定的增长，华微电子也将迎来发展的快车道。
替代进口的有力竞争者
作为全球汽车和工业大国，中国是全球最大的功率半导体器件市场。然而，在经济的快速发展中，国外在极力阻止中国的崛起特别是美国对中国高科技技术发展制造了障碍，中兴、华为事件给我国功率半导体行业的发展敲响了警钟，目前中国功率半导体市场被美国、欧洲和日本品牌掌控，在国内市场占有绝对的优势，市场占有率60%以上。
华微电子自成立以来，一直致力于建设芯片制造能力，扩大生产线规模及提高芯片交付能力，目前拥有4英寸、5英寸与6英寸功率半导体芯片生产线，加工能力为每年400万片，在建8英寸生产线，设计产能96万片/年，具有单管封装资源为24亿只/年，IPM模块封装1800万块/年。
经历了半个多世纪的技术积累，华微电子在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有了多项专利及工艺诀窍，尤其在IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等方面拥有独特的核心技术达到国内领先，国际同行业先进水平。其中，IGBT产品五大关键技术，包括薄片制造技术、透明集电极IGBT制造技术、纵向和横向结构设计技术、背面注入及激活和硅片测试技术均已攻破难关，研发完成600V-650V，1200V-1350V的IGBT产品，产品采用国际主流的Trench-FS技术，主要应用在新能源电动汽车、变频家电和电磁炉等领域。Trench MOS先后经历了几代产品开发后，成功解决了深Trench刻蚀技术、阻挡层金属化淀积技术、W回刻技术等，已经完成了30V-250V的产品开发。
“要实现国产化替代，目前公司面临的主要困难是客户对国产半导体功率器件的接受度，主要是在新的应用领域和高端应用领域，需要客户给予一定的机会和时间，给予国产品牌与客户磨合的机会。”华微电子表示，当下，公司主要解决的问题是，在产品应用方面加强与客户的交流和改进，同时根据客户的实际应用需求开发更加契合应用场景的定制化产品。而这也逐渐在实现，华微电子的产品广泛应用于消费类电子、汽车电子、电力电子、工业控制与LED照明等领域，并不断在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通等战略性新兴领域快速拓展，是飞利浦、松下、日立、海信、创维、长虹等国内外知名企业的配套供应商。
向高端细分领域迈进
在国内功率半导体器件市场低端产品竞争加剧且中高端产品大量依赖进口的形势下，华微电子也加快高端产品的推广和研发布局，在工业、汽车电子、5G、充电桩等领域产品的应用，已经取得一定的效果，并获得了国内知名企业的认可。
谈及未来的发展，华微电子表示将继续以公司传统的功率半导体芯片制造为核心，继续做大做强芯片制造能力，纵向发展建立8英寸芯片生产线，实现高端VDMOS、IGBT器件制造，满足快速增长的市场需要，横向扩展建立硅外延生产线，保证材料安全供应，建立封装测试生产线，重点建设模块生产线，向高压大功率方向发展，打造功率半导体产业制造基地，完善功率半导体产业链，加速功率半导体国产化进程。
“华微电子会继续发展自主研发、平台建设的IDM优势，不断升级硅基功率器件的性能和品质。公司具有IGBT、MOSFET、二极管、可控硅和BJT等全功率器件工艺平台，包括单管、IPM及PM等各类封装形式的产品，未来公司仍会把功率半导体作为主要的技术发展方向，结合公司市场领域，逐步建立配套的驱动IC生产线。”华微电子表示，在中低压MOSFET上，公司将进一步升级现有技术平台，不久将会推出第二代CCT MOSFET，以100V产品为例，单位面积导通电阻达到40毫欧。完善产品电压等级，建立起从10V~250V产品的全系列的电压平台，除了在消费类领域内应用外，拓展到服务器电源、5G、工业、人工智能和汽车电子。
对于高压MOSFET，今年年底会推出第二代超结MOSFET产品，进一步提升该系列产品的耐用性和效率，应用于充电桩和基站电源。在未来2~3年我们会继续提升超结MOS平台，采用多层外延结构，开发第三代超结MOS平台，达到与国际品牌一致的性能，产品系列涵盖了500V-900V，4A-72A全系列，能满足各个领域的产品需求。
“FRD二极管和IGBT一直是我们的核心产品，在未来2~3年，我们将致力于开发用于轨道交通和电网领域内需求的超高压产品系列，电压涵盖1700V~6500V。”华微电子还表示，Trench肖特基方面，公司已完成45V、60V、100V产品Trench SBD平台建设，正在开发80V、150V产品平台，具备势垒高度可调技术，可满足客户对于使用效率的更高需求，比平面产品具有更高的可靠性能力，应用在光伏领域和电源领域。此外，华微电子积极布局GaN和SiC器件，研发和生产增强型GaNHEMT，先在快充领域做GaN器件和应用方案，然后过渡到工业和通信电源领域；对于SiC器件，目前已经研发出了650V SBD二极管产品，将进一步拓展到1200V二极管和SiC MOSFET，主要应用于新能源汽车及充电桩。
市场红利渐释放
近几年来，中国功率半导体器件在工业控制、汽车电子、网络通讯等多领域应用带动下，需求持续上涨，中国功率半导体器件市场保持快速且稳定的增长。
“受新冠肺炎疫情影响，2020年功率半导体市场将会面临一定幅度的回落，之后将迎来快速复苏，预计到 2022年，中国功率半导体市场规模将达到 1960 亿元，2019~2022年年均复合增长率将会达到3.7%。”华微电子认为，未来几年，国内市场对功率半导体的需求仍然强劲。
这对华微电子来说，公司利润持续稳定增长已经有迹可循，公司具有全系列的功率半导体器件门类，随着市场需求的增长，公司也将会迎来发展的快车道。
而从细分市场结构来看，工业控制、汽车和网络通信，需求将大幅增长，其中 MOSFET和IGBT 成为最大受益产品。业内预计，2022年，MOSFET和IGBT 的市场份额合计占比超过30%，其MOSFET复合增长率为5.4%，至2022年市场规模将达到365 亿元；IGBT年市场规模达到251亿元，复合增长率7.4%。
“ MOSFET 和IGBT 已成为最主流的功率器件之一，广泛应用于汽车电子、工业电子、新能源汽车、充电桩、物联网、光伏新能源等领域。”但是，高端的MOSFET和IGBT绝大部分进口，只有华微电子等少数厂商可以生产，目前先进的生产技术基本被国外厂商垄断，全球最大的功率器件生产商有德国的英飞凌、美国的安森美、日本的三菱机电等。
2019 年初，华微电子计划投资新型电力电子器件基地项目建设，本次投资主要是为了建设8英寸生产线，以满足公司新型功率器件的生产，项目生产的产品主要有IGBT、低压Trench-MOS 、超结MOS 以及IC芯片，针对的市场是目前国内相对空白的高低功率半导体市场，产品下游市场增长迅速，进口替代空间巨大。投资项目产品性能和技术水平虽然与国际大厂的产品还略有差距，但是其主要性能已经和国际主流公司的产品相当，个别参数还具有一定优势。业内预测，未来几年，随着中高端技术产品在市场规模化应用，新产品、新领域重点项目指标的达成将带动华微电子整体业绩持续稳步增长。
如果你从首都国际机场即将降落的飞机上向下俯视，一条大河穿城而过，城镇、绿地、工业区、繁华闹市渐次分布。如今的顺义以“平原新城”的姿态着力发展新能源智能 汽车 、第三代半导体、航空航天等“高精尖”产业，成为首都产业发展的新极点。
顺义创新产业集群示范区已初具规模
第三代半导体企业集聚
中关村顺义园里，三栋现代感十足的大楼拔地而起，楼体外“国联万众”四个大字格外显眼。这就是国联万众“第三代半导体材料及应用联合创新基地”，将用于建设第三代半导体工艺平台、封装平台、检测平台、 科技 服务平台，基地预计未来实现产值规模可达到百亿级别。
走进第三代半导体材料及应用联合创新基地，三栋楼呈半围合之势，中心绿地生机勃勃，园区里处处充满现代气息。北京国联万众半导体 科技 有限公司主要从事第三代半导体芯片、器件制造和第三代半导体 科技 服务工作。公司研发生产的碳化硅电力电子二极管产品已投入市场，拥有几十家稳定的客户，MOSFET已开发出样品，开始为比亚迪等公司提供样品试用，成为国内领先的碳化硅电力电子芯片供应商。国联万众是国家双创示范基地“双创”支撑平台、国家级众创空间、中关村国家自主创新示范区硬 科技 孵化平台，已吸引半导体设备制造企业埃特曼(北京)半导体技术有限公司、深紫外外延企业北京中博芯半导体 科技 有限公司、第三代半导体检测企业北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司、集成电路设计企业河北新华北集成电路有限公司(分公司)等10余家第三代半导体相关企业入驻或即将入驻园区。
顺义区聚焦发展器件(芯片)，细分领域包括650V以上车规级电力电子器件及5G基站通讯射频器件和适度发展模组、关键装备、衬底、外延、封测5个环节，打造以IDM模式为主、代工模式为辅的第三代半导体产业集聚区。
作为第三代半导体产业的衬底，清华大学微电子所清碳 科技 金刚石半导体材料产业化基地项目落地顺义；迪希埃、特思迪等装备制造企业落户；芯片与器件有北大中博芯、国联万众等多个项目支撑……顺义区第三代半导体产业园区已吸引第三代半导体企业20余家，累计总投资额40.6亿元。其中器件(芯片)环节聚集了国内头部企业。此外，顺义拥有理想 汽车 、奔驰新能源等应用企业，市场牵引明显。
突破航空航天产业“天花板”
5月19日，国家航天局发布“天问一号”任务探测器着陆过程两器分离和着陆后火星车拍摄的影像。图像中，着陆平台和“祝融号”火星车驶离坡道，太阳翼、天线等机构展开正常到位，标志着我国“天问一号”任务火星探测器成功着陆。这些机构的成功展开需要一个重要部件加持——“谐波减速器”，此次任务共有7套谐波减速器出自顺义企业中技克美之手，分别装配在探测器的坡道、桅杆及定向天线驱动等机构中。
北京航空产业园逐步成型，注册企业30余家。目前形成以中航发研究院为引领的基础研究和技术自主创新中心；以中航复材、中航青云等实体企业为代表的军民机复合材料、航空装备、民用航空产品的生产供应商，基本构建起航空为本、市场导向、创新驱动的格局。顺义航天产业园正规划打造卫星应用及智能装备产业基地、信息技术产业基地和卫星姿态轨道控制系统核心技术产业基地三大基地。
智能网联 汽车 日臻完善
顺义区规划了200平方公里智能网联 汽车 创新生态示范区，筹建1200亩自动驾驶封闭测试场，首期300亩已投入使用。开放145公里公开测试道路，建设全国首个智能网联 汽车 特色小镇，镇域内布局了高级别车联网系统。美团无人配送、滴滴自动驾驶、图森未来等一批涉及“车、路、云、网、图”体系的重点企业集聚发展。
北京顺创智能网联 科技 发展有限公司总经理刘斌介绍道：“顺义是继国家智能 汽车 与智慧交通(京冀)示范区海淀基地、亦庄基地之后第三个自动驾驶车辆封闭测试场。测试场搭建了智能网联 汽车 模拟仿真测试平台，集静态场景编辑、动态场景还原、传感器仿真、车辆动力学仿真、关键场景提取、人工智能对抗样本生成等功能于一体，可针对不同企业的需求实施定制化整体解决方案。”测试场通过打造“封闭场地+模拟仿真”的双赛道模式，实现仿真环境与封闭场地的映射标定，建立自动驾驶能力评估体系。
顺义区在感知、决策、控制等环节持续推进智能网联 汽车 技术创新，着力测试环境及验证能力建设。区内企业正元地理信息、天地图、中科星图等专注于高精度地图开发，罗克维尔斯、星河亮点、图森未来、未来城运等专注于智能网联产品开发，触达无界、桔电出行、沃芽 科技 等提供智能网联车辆运营服务,顺义区智能网联产业链条日臻完善。(许金星)
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