什么是宽禁带材料:众所周知,电子要想突破原子核束缚成为自由电子,是需要能量的。Si材料大约需要1.12电子伏特(eV),而宽禁带半导体材料 需要2.3eV左右的能量。
由于具有比硅宽得多的禁带宽度,宽禁带半导体材料一般都具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度和载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率,因此,基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件将具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力、低得多的通态电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力,许多方面的性能都是成数量级地提高。但是,宽禁带半导体器件的发展一直受制于材料的提炼、制造以及随后半导体制造工艺的困难。
现在常见的就是肖特基二极管吧。
开关状态。根据相关资料显示电力半导体的工作状态是开关状态。
电力半导体器件是进行电力变换和控制的大功率器件。可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。主要用于整流器、逆变器、斩波器、交流调压器等方面,广泛用于工农业生产、国防、交通等各个领域。
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