半导体二极管的扩散区在哪?

首先得先了解pn结的形成。在N型半导体和P型半导体的结合面上，因浓度差所以多子的扩散运动；自由电子与空穴复合，此时由杂质离子形成空间电荷区（p区是负电荷，n区是正电荷），便有n指向p的内电场，阻止多子扩散，最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面处，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区（耗尽层）称为PN结。当在pn结（二极管）两端加正向电压时，内电场减弱，多子扩散大于少子漂移，使得载流子越过耗尽层，进入对面，并与其相反电荷载流子复合，形成扩散区（p区、n区各有一个）。

多子的扩散不出现电场，将p型半导体与n型半导体制作在同一硅片上，在他们的交界面就形成pn结，pn结具有单向导电性，这些你应该都知道吧，p型半导体的多子是空穴，n型半导体的多子是电子，多子会进行扩散运动，即p区的空穴向n区扩散，与n区 的电子复合，而n区的电子向p区扩散，与p区的空穴复合，在交界面附近多子的浓度下降，p区出现负离子区，n区出现正离子区，它们不能移动，称为空间电荷区，从而形成内电场，随扩散运动进行，空间电荷区加宽，内电场加强，其方向由n区指向p区，正好阻止多子的扩散。不是很明白的，你自己画个图就知道了。你说的其实也差不多就是这个意思。不知道你想知道的是不是这个。

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