一个电源如何往一个半导体中补充空穴？比如NPN型三极管，基极电源往基区补充空穴是什么意思？

你好，很高兴能为你解答。

NPN型三极管的发射区是N型半导体，集电区也是N型半导体，基区是P半导体。

颖展电子元器件上有详细说明。

你的采纳是我前进的动力，不懂追问，希望能帮到你

磁场是可以激发半导体材料产生空穴的，但自由电子和空穴必须成对产生。条件是：

1，半导体材料在磁场中运动，方向为垂直于磁力线方向；

2，磁场足够强或半导体材料运动足够快。

实际上，半导体材料在强电场或磁场的洛伦兹力作用下“产生”自由电子和空穴的过程就是它的击穿过程，因为这是个雪崩过程，速度快而不可控。

这个问题需要根据不同情况来考虑首先是处于低温弱电离区0～100k的区间，这个区间内半导体的本征激发很小，p型半导体内部的空穴主要由三族元素电离产生，本征激发可忽略不计，随着温度升高，杂质的电离率快速增大，电离的空穴快速增加，因此在这个区间温度升高p型半导体中增多的主要是空穴浓度。温度继续升高来到了100～500k区间，在这个区间中轻掺的杂质基本已经全部电离，因此随着温度升高电离空穴浓度基本不发生变化，而在这个温度区间半导体的本征激发还是很小，因此可以忽略不计，因此在强电离区，随着温度的升高多少载流子（空穴）的浓度基本不发生变化。最后是T>500k的区间，此时本征激发的电子和空穴浓度迅速上升，占据主要地位，随着温度的升高，电子和空穴的浓度都迅速增大

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