半导体制作中 热预算啥意思

集成电路工艺中，多步退火过程中有(Dt)eff=D1t1+D2t2+...+Dntn，其物理意义就是要取得一定的扩散深度，可以采用多补退火（推进）的方式实现。上式左边的(Dt)eff就是热预算，其单位为cm^2，你可以任意搭配等式右边的式子，以完成热预算的要求。

半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离，深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行，热预算小，STI技术工艺步骤类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，要回刻或者CMP。

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