半导体材料专家梁骏吾院士逝世，他都取得过哪些成就？

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

极其优秀。

周治平，男，博士，博士生导师，北京大学教授，北京大学光 子与通信技术研究所研究员，武汉光电国家实验室（筹）主任助理、国际交流与合作部筹备组组长，哈尔滨工业大学海外兼职博导，美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授，及美国佐治亚理工学院国际商务教育及研究中心顾问。

1982及1984年分获华中科技大学工学学士及硕士学位。1993年获美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系博士学位。研究方向：半导体器件物理、半导体器件工艺、半导体传感器、半导体激光、集成传感器、纳米技术、超快速光通信、集成光电子学、矢量衍射分析、微纳光电子器件及其集成技术。2010年2月当选国际光学工程学会（SPIE）会士（fellow）。

周治平博士研究的领域包括半导体器件物理、半导体工艺、半导体传感器、集成电路传感器、生物/化学传感器、光学传感器、CMOS技术、MEMS技术、光存储技术、半导体激光、超高速光通信、集成光电子学、计算机模拟、次波长特征矢量的高精度光学衍射分析、纳米技术、及微/纳米量级光电系统集成。

周治平博士是SPIE和OSA的会员、IEEE的资深会员，以及中华光电学会（PSC）的终身会员。中国国家光盘工程研究中心技术顾问，美国佐治亚理工学院国际商务教育及研究中心顾问，《红外与激光工程》编委。

---