长电 科技 是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。
通过高集成度的晶圆级（WLP）、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术，长电 科技 的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长电 科技 在全球拥有23000多名员工，在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心，在逾22个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。
随着市场对便携式移动数据访问设备的需求快速增长，市场对功能融合和封装复杂性的要求也在提升。同时对更高集成度，更好电气性能、更低时延，以及更短垂直互连的要求，正在迫使封装技术从 2D 封装向更先进的 2.5D 和 3D 封装设计转变。为了满足这些需求，各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集中到越来越小的尺寸中。
长电 科技 积极推动传统封装技术的突破，率先在晶圆级封装、倒装芯片互连、硅通孔(TSV)等领域中采用多种创新集成技术，以开发差异化的解决方案，帮助客户在其服务的市场中取得成功。
3D 集成技术正在三个领域向前推进：封装级集成、晶圆级集成和硅级集成。
• 封装级集成
利用常规的焊线或倒装芯片工艺进行堆叠和互连，以构建传统的堆叠芯片和堆叠封装结构，包括：
堆叠芯片 (SD) 封装 ，通常在一个标准封装中使用焊线和倒装芯片连接，对裸片进行堆叠和互连。配置包括 FBGA-SD、FLGA-SD、PBGA-SD、QFP-SD 和 TSOP-SD。
层叠封装(PoP) ，通常对经过全面测试的存储器和逻辑封装进行堆叠，消除已知合格芯片 (KGD) 问题，并提供了组合 IC 技术方面的灵活度。倒装芯片 PoP 选项包括裸片 PoP、模塑激光 PoP 和裸片模塑激光 PoP 配置 (PoP-MLP-ED)。
封装内封装 (PiP) ，封装内封装 (PiP) 通常将已封装芯片和裸片堆叠到一个 JEDEC 标准 FBGA 中。经过预先测试的内部堆叠模块 (ISM) 接点栅格阵列 (LGA) 和 BGA 或已知/已探测合格芯片 (KGD)，通过线焊进行堆叠和互连，然后模塑形成一个与常规FBGA封装相似的 CSP。
3D 晶圆级集成 (WLP) 使用再分布层和凸块工艺来形成互连。晶圆级集成技术涵盖创新的扇入(FIWLP) 和扇出 (FOWLP) 选项，包括：
嵌入式晶圆级 BGA(eWLB) - 作为一种多功能的扇出型嵌入式晶圆级 BGA 平台，eWLB 灵活的重建制造工艺可以降低基板的复杂性和成本，同时在一系列可靠、低损耗的 2D、2.5D 和 3D 解决方案中实现高性能、小尺寸和非常密集的互连。长电 科技 的 3D eWLB-SiP 和 eWLB-PoP 解决方案包括多个嵌入式无源和有源元器件，提供面对背、面对面选项，以及单面、1.5 面、双面超薄 PoP 配置。对于需要全 3D 集成的应用，长电 科技 的面对面 eWLB PoP 配置通过 eWLB 模塑层，在应用处理器和存储器芯片之间提供直接的垂直互连，以实现高带宽、极细间距的结构，其性能不逊色于 TSV 技术。
包封 WLCSP (eWLCSP ) - 一种创新的 FIWLP 封装，采用扇出型工艺，也称为 FlexLine 方法，来构建这种创新、可靠的包封 WLCSP 封装。
WLCSP - 标准晶圆级 CSP 封装。随着各种工艺技术的发展，例如低固化温度聚合物、将铜材料用于凸块下金属化 (UBM) 和 RDL，我们可以实现更高的密度，提高 WLCSP 封装的可靠性。
在真正的 3D IC 设计中，目标是将一个芯片贴合在另一个芯片上，两者之间没有任何间隔（无中介层或基材）。目前，“接近 3D”的集成通常也称为 2.5D 集成，其实现方法是使用薄的无源中介层中的硅通孔 (TSV)，在封装内部连接芯片。芯片之间的通信通过中介层上的电路进行。FOWLP 工艺还可以产生一种被称为2.5D eWLB的创新过渡技术，在这种技术中，使用薄膜扇出型结构来实现高密度互连。长电 科技 的硅级集成产品组合包括：
2.5D / 扩展 eWLB - 长电 科技 基于 eWLB 的中介层可在成熟的低损耗封装结构中实现高密度互连，提供更高效的散热和更快的处理速度。3D eWLB 互连（包括硅分割）是通过独特的面对面键合方式实现，无需成本更高的 TSV 互连，同时还能实现高带宽的 3D 集成。基于 eWLB 的中介层简化了材料供应链，降低了整体成本，为客户提供了一个强大的技术平台和路径，帮助客户将器件过渡到更先进的 2.5D 和 3D 封装。
MEOL集成的2.5D封装 - 作为首批在2.5D 封装领域拥有成熟 MEOL TSV 集成经验的 OSAT 之一，长电 科技 在这个新兴互连技术领域扮演着重要角色，专注于开发经济高效的高产量制造能力，让 TSV 成为具有商业可行性的解决方案。长电 科技 还与众多的客户、研究机构和领先代工厂开展协作，为集成式 3D 封装解决方案开发有效的商业模式。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
长电 科技 为以下封装选项提供晶圆级技术：
• eWLB（嵌入式晶圆级球栅阵列）
• eWLCSP（包封晶圆级芯片尺寸封装）
• WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）
• IPD（集成无源器件）
• ECP（包封芯片封装）
• RFID（射频识别）
当今的消费者正在寻找性能强大的多功能电子设备，这些设备不仅要提供前所未有的性能和速度，还要具有小巧的体积和低廉的成本。这给半导体制造商带来了复杂的技术和制造挑战，他们试图寻找新的方法，在小体积、低成本的器件中提供更出色的性能和功能。长电 科技 在提供全方位的晶圆级技术解决方案平台方面处于行业领先地位，提供的解决方案包括扇入型晶圆级封装 (FIWLP)、扇出型晶圆级封装 (FOWLP)、集成无源器件 (IPD)、硅通孔 (TSV)、包封芯片封装 (ECP)、射频识别 (RFID)。
突破性的 FlexLineTM 制造方法
我们的创新晶圆级制造方法称为 FlexLineTM 方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。FlexLine 制造方法是不同于常规晶圆级制造的重大范式转变，它为扇入型和扇出型晶圆级封装提供了很高的灵活性和显著的成本节省。
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
用于 2.5D 和 3D 集成的多功能技术平台
FlexLine方法，为客户提供了不受晶圆直径约束的自由，同时实现了传统制造流程无法实现的供应链简化和成本的显著降低。
半导体公司不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品体积更小、速度更快、性能更高，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装对于解决这些挑战具有重大影响。当前和未来对于提高系统性能、增加功能、降低功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。
系统集成可将多个集成电路 (IC) 和元器件组合到单个系统或模块化子系统中，以实现更高的性能、功能和处理速度，同时大幅降低电子器件内部的空间要求。
什么是系统级封装？
系统级封装 (SiP) 是一种功能电子系统或子系统，包括两个或更多异构半导体芯片（通常来自不同的技术节点，针对各自的功能进行优化），通常搭载无源元器件。SiP 的物理形式是模块，根据最终应用的不同，模块可以包括逻辑芯片、存储器、集成无源器件 (IPD)、射频滤波器、传感器、散热片、天线、连接器和/或电源芯片。
先进 SiP 的优势
为了满足用户提高集成度、改善电气性能、降低功耗、加快速度、缩小器件尺寸的需求，以下几大优势促使业界转向先进的SiP 解决方案：
• 比独立封装的元器件更薄/更小的外形尺寸
• 提高了性能和功能集成度
• 设计灵活性
• 提供更好的电磁干扰 (EMI) 隔离
• 减少系统占用的PCB面积和复杂度
• 改善电源管理，为电池提供更多空间
• 简化 SMT 组装过程
• 经济高效的“即插即用”解决方案
• 更快的上市时间 (TTM)
• 一站式解决方案 – 从晶圆到完全测试的 SiP 模块
应用
当前，先进的 SiP 和微型模块正被应用于移动设备、物联网 (IoT)、可穿戴设备、医疗保健、工业、 汽车 、计算和通信网络等多个市场。每种先进 SiP 解决方案的复杂程度各不相同，这取决于每种应用需要的元器件的数量和功能。
以下是高级 SiP 应用的一些示例：
根据应用需求和产品复杂度，我们提供多种先进 SiP 配置，从带有多个有源和无源元件、通过倒装芯片、引线键合和SMT进行互连的传统2D 模块，到更复杂的模块，如封装内封装 (PiP)、层叠封装 (PoP)、2.5D 和 3D 集成解决方案。先进的SiP 模块配置 (2D/2.5D/3D) 针对特定终端应用进行定制，旨在充分发挥它们的潜在优势，包括性能、成本、外形尺寸和产品上市时间 (TTM)。
在倒装芯片封装中，硅芯片使用焊接凸块而非焊线直接固定在基材上，提供密集的互连，具有很高的电气性能和热性能。倒装芯片互连实现了终极的微型化，减少了封装寄生效应，并且实现了其他传统封装方法无法实现的芯片功率分配和地线分配新模式。
长电 科技 提供丰富的倒装芯片产品组合，从搭载无源元器件的大型单芯片封装，到模块和复杂的先进 3D 封装，包含多种不同的低成本创新选项。长电 科技 的丰富倒装芯片产品组合包括：
FCBGA 和 fcCSP 都使用锡球来提供第二级 (BGA) 互连。
颠覆性的低成本倒装芯片解决方案：fcCuBE
长电 科技 还提供名为“fcCuBE ”的创新低成本倒装芯片技术。fcCuBE 是一种低成本、高性能的先进倒装芯片封装技术，其特点是采用铜 (Cu) 柱凸块、引线焊接 (BOL) 互连以及其他增强型组装工艺。顾名思义，fcCuBE 就是采用铜柱、BOL 和增强工艺的倒装芯片。fcCuBE 技术适用于各种平台。自 2006 年获得首个与 fcCuBE 相关的创新 BOL 工艺专利以来，长电 科技 投入大量资金，将这一变革性技术发展成为引人注目的倒装芯片解决方案，广泛应用于从低端到高端的移动市场以及中高端消费和云计算市场的终端产品。
fcCuBE 的优势是推动来自成本敏感型市场，如移动和消费类市场，以及网络和云计算市场的客户广泛采用这种封装，因为在这些市场上，布线密度和性能的增加是必然趋势。fcCuBE 的独特 BOL 互连结构可扩展到非常细的凸块间距，实现高 I/O 吞吐量，同时缓解与应力相关的芯片与封装之间的交互作用 (CPI)，而这种现象通常与无铅和铜柱凸块结构相关。这对于中高端的网络和消费类应用而言尤其重要。
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式服务方面独具优势。长电 科技 提供从涉及到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
焊线形成芯片与基材、基材与基材、基材与封装之间的互连。焊线被普遍视为最经济高效和灵活的互连技术，目前用于组装绝大多数的半导体封装。
长电 科技 的多种封装方法都采用焊线互连：
铜焊线
作为金线的低成本替代品，铜线正在成为焊线封装中首选的互连材料。铜线具有与金线相近的电气特性和性能，而且电阻更低，在需要较低的焊线电阻以提高器件性能的情况下，这将是一大优势。长电 科技 可以提供各类焊线封装类型，并最大程度地节省物料成本，从而实现最具成本效益的铜焊线解决方案。
层压封装
基于层压的球栅阵列 (BGA) 互连技术最初推出的目的是满足高级半导体芯片不断增长的高引线数要求。BGA 技术的特点是将引线以小凸块或焊球的形式置于封装的底面，具有低阻抗、易于表面安装、成本相对较低和封装可靠性高等特点。长电 科技 提供全套的基于层压的 BGA 封装，包括细间距、超薄、多芯片、堆叠和热增强配置。
除了标准层压封装之外，长电 科技 还提供多种先进堆叠封装选项，包括一系列层叠封装 (PoP) 和封装内封装 (PiP) 配置。
引线框架封装
引线框架封装的特点是芯片包封在塑料模塑复合物中，金属引线包围封装周边。这种简单的低成本封装仍然是很多应用的最佳解决方案。长电 科技 提供全面的引线框架封装解决方案，从标准引线框架封装到小巧薄型热增强封装，包括方形扁平封装 (QFP)、四边/双边无引脚、扁平封装 (QFN/DFN)、薄型小外型封装 (TSOP)、小外形晶体管 (SOT)、小外形封装 (SOP)、双内联封装 (DIP)、晶体管外形 (TO)。
存储器器件
除了增值封装组装和测试服务之外，长电 科技 还提供 Micro-SD 和 SD-USB 这两种格式的存储卡封装。Micro-SD 是集成解决方案，使用 NAND 和控制器芯片，SD-USB 则是裸片和搭载 SMT 元器件的预封装芯片。长电 科技 的存储卡解决方案采用裸片级别组装、预封装芯片组装，或者两者结合的方式。
全方位服务封装设计
我们在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供最能满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。长电 科技 的全方位服务封装设计中心可以帮助客户确定适用于复杂集成电路的最佳封装，还能够帮助客户设计最适合特定器件的封装。
2.5/3D集成技术圆片级与扇出封装技术系统级封装技术倒装封装技术焊线封装技术MEMS与传感器
MEMS and Sensors
随着消费者对能够实现传感、通信、控制应用的智能设备的需求日益增长，MEMS 和传感器因其更小的尺寸、更薄的外形和功能集成能力，正在成为一种非常关键的封装方式。MEMS 和传感器可广泛应用于通信、消费、医疗、工业和 汽车 市场的众多系统中。
传感器
传感器是一种能够检测/测量物理属性，然后记录并报告数据和/或响应信号的装置或系统。传感器通常组装在模块中，这些模块能够基于模拟或传感器馈送信号来作出响应。传感器有很多不同的类型和应用，例如压力传感器、惯性传感器、话筒、接近传感器、指纹传感器等
微机电系统 (MEMS)
MMEMS 是一种专用传感器，它将机械和电气原件通过分立或模块方式组合起来。MEMS是典型的多芯片解决方案，例如感应芯片与专用集成电路 (ASIC) 配对使用。MEMS 器件可以由机械元件、传感器、致动器、电气和电子器件组成，并置于一个共同的硅基片上。在消费、 汽车 和移动应用中使用基于 MEMS 的传感器具备一些优势，包括体积小、功耗低、成本低等。
集成一站式解决方案
凭借我们的技术组合和专业 MEMS 团队，长电 科技 能够提供全面的一站式解决方案，为您的量产提供支持，我们的服务包括封装协同设计、模拟、物料清单 (BOM) 验证、组装、质量保证和内部测试解决方案。长电 科技 能够为客户的终端产品提供更小外形尺寸、更高性能、更低成本的解决方案。我们的创新集成解决方案能够帮助您的企业实现 MEMS 和传感器应用的尺寸、性能和成本要求。
1. 嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) - 单芯片、多芯片和堆叠的层叠封装配置
2. 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) - 非常小的单芯片
3. 倒装芯片芯片尺寸封装 (fcCSP)- 单芯片或多芯片的倒装芯片配置
4. 细间距球栅阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
5. 接点栅格阵列 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
6. 四边扁平无引脚 (FBGA) - 单芯片或多芯片配置
长电 科技 提供全方位一站式倒装芯片服务
凭借在晶圆级封装、晶圆探针和最终测试方面的强劲实力，长电 科技 在为客户提供全方位一站式处理方面独具优势。长电 科技 提供从设计到生产的全方位一站式倒装芯片服务，包括高速、高引脚数的数字和射频测试。
全方位一站式解决方案的优势
• 缩短产品上市时间
• 提升整体流程效率
• 提高质量
• 降低成本
• 简化产品管理
长电 科技 位于中国、新加坡、韩国和美国的全球特性分析团队，致力于为全球客户提供先进的封装表征服务，确保客户拥有高质量、高性能、可靠和高性价比的封装设计，以满足他们的市场需求。
晶圆凸块技术可以在半导体封装中提供显著的性能、外形尺寸和成本优势。晶圆凸块是一种先进的制造工艺，在切割之前就在半导体晶圆表面形成金属焊球或凸块。晶圆凸块实现了器件中的芯片与基材或印刷电路板之间的互连。焊球的成分和尺寸取决于多种因素，例如半导体器件的外形尺寸、成本以及电气、机械和热性能要求。
长电 科技 在晶圆凸块的众多合金材料和工艺方面拥有丰富的经验，包括采用共晶、无铅和铜柱合金的印刷凸块、锡球和电镀技术。我们的晶圆凸块产品包括 200mm 和 300mm 晶圆尺寸的晶圆凸块和再分配，以提供完整的一站式先进倒装芯片封装和晶圆级封装解决方案。
长电 科技 的认证质量测试中心，提供多种可靠性试验，包括环境可靠性测试、使用寿命可靠性测试、板级可靠性试验，和全方位的故障分析服务。
封测市场高景气，公司治理和业务协同不断强化，业绩实现高速增长： 公司 2020 年归母净利润同比+1371.17%，业绩实现高速增长，主要得益 于公司进一步深化海内外制造基地资源整合、提高营运效率、改善财务 结构，大幅度提高了经营性盈利能力。2020 年，公司海外并购的新加坡 星科金朋实现营业收入 13.41 亿美元，同比增长 25.41%，净利润从 2019 年的亏损 5,431.69 万美元到 2020 年的盈利 2,293.99 万美元，实现全面 扭亏为盈。另外，收购后，子公司长电国际利用星科金朋韩国厂的技术、 厂房等新设立的长电韩国工厂（JSCK）在 2020 年实现营业收入 12.35 亿美元，同比增长 64.97%；净利润 5,833.49 万美元，同比增长 669.97%。 2021 年第一季度，公司业绩延续高增长趋势，归母净利润同比 +188.68%，毛利率 16.03%，同比+2.93pct，净利率 5.76%，同比+3.41pct。
公司可为客户提 供从设计仿真到中后道封测、系统级封测的全流程技术解决方案，已成 为中国第一大和全球第三大封测企业。公司产能全球布局，各产区的配 套产能完善，随着产能利用率的持续提升，公司生产规模优势有望进一 步凸显，同时，各产区互为补充，各具技术特色和竞争优势，完整覆盖 了低、中、高端封装测试领域，在 SiP、WL-CSP、2.5D 封装等先进封 装领域优势明显。公司聚焦 5G 通信、高性能计算、 汽车 电子、高容量 存储等关键应用领域，大尺寸 FC BGA、毫米波天线 AiP、车载封测方 案和 16 层存储芯片堆叠等产品方案不断突破，龙头地位稳固。
用户资源和 高附加价值产品项目，加强星科金朋等工厂的持续盈利能力。目前，公 司国内工厂的封测服务能力持续提升，车载涉安全等产品陆续量产，同 时，韩国厂的 汽车 电子、5G 等业务规模不断扩大，新加坡厂管理效率 和产能利用率持续提升，盈利能力稳步改善。随着公司各项业务和产线 资源整合的推进，公司盈利能力有望持续提升，未来业绩增长动能充足。
欧菲光没藏住“被踢出苹果产业链”这个惊天大雷，却“利好”了闻泰科技。
两个公司的股价在3月17日，一个封死跌停，一个大涨6.4%。
闻泰股价上涨的逻辑是，本来闻泰公告要花50亿~60亿元买欧菲光的摄像头资产，现在还没有完成。这部分业务正是欧菲光苹果产业链（以下简称“果链”）的核心资产。在尽职调查期间闻泰必然早已知晓欧菲光被踢出“果链”的消息。现在闻泰要么可以选择不买避雷，如果坚持要买，必然是对进入“果链”有了充足的信心。
怎么看都是利好，先涨为敬。
欧菲光被踢出“果链”，股民既愤怒欧菲光前期的遮遮掩掩，又叹息苹果产业链上除了苹果，其他公司不过都是无关紧要的打工人。
一直是打工人的闻泰科技，以前给山寨机打工，现在给小米等智能手机厂商打工。虽然已经是手机领域最强的打工人、世界ODM的龙头，但收入一直微薄。
从2018年起，顿悟的闻泰创始人张学政连续撬动超过300亿资金收购安世半导体，不甘再做打工人，要成为“下一个台积电”。
转型路上却遭到重重质疑，股价一波三折。
闻泰科技在速度和质量、故事与业绩的矛盾中反复被重估和质疑。中国制造业在从全球打工人，晋升到掌握话语权的精英过程中，不可避免地都经历了“闻泰式”的遭遇。
小米幕后功臣和中国ODM之王
卢伟冰从金立转投小米掌舵“Redmi”品牌后，现在正春风得意，除了老大哥雷军的赏识外，还要感谢一个人——闻泰科技的张学政。
作为当年小米横扫山寨机市场的幕后大佬，没有闻泰科技就没有今天的Redmi——当年叫红米。
2013年，刚站稳脚跟的小米希望推出低价手机拓宽市场。
当时小米还没有现在这么强，各种资源匮乏。
闻泰科技既熟悉中国移动定制业务，又是联发科重要合作伙伴，是小米的不二选择。双方一拍即合之下，红米系列就此以ODM的形式诞生。
ODM又称原始设计商，是一家厂商根据另一家厂商的规格和要求，设计和生产产品。ODM上游主要为电子元器件等厂商，下游为智能手机、笔记本等消费电子品牌厂商，手机品牌商是主要的下游客户。
要论玩性价比，张学政是雷军的老师。红米1由张学政亲自主抓，从主板设计到生产全由闻泰 *** 刀，小米主要精力放在营销和渠道。
红米1上市后，不仅破天荒把智能手机的价格拉到千元以下，还丧心病狂地定价799元。
自此红米横扫低端，加速革了山寨机的命，闻泰则靠着红米系列机型一举成为ODM行业第一。
从做山寨机起家的张学政，一路就是靠低价杀出重围。
张学政22岁从平远县山沟考到广东工业大学，毕业后辗转在意法半导体、中兴打工。
广东省平远县与福建龙岩交汇，这个小县城里走出了不少大人物。闻泰科技的创始人张学政、欧派家居的创始人姚良松、金雅福身价百亿的80后创始人黄仕坤，他们都是平远县人，个个在资本市场叱咤风云。张学政在1月25日公布的《2021胡润全球富豪榜》上排名955位，身价225亿元。
其实隔壁龙岩市也不差。走出了中国互联网三颗新星：字节跳动张一鸣、美团王兴、雪球方三文，人送雅号“龙岩三杰”。
中国手机产业先被外国豪强瓜分，后又在2000年左右被国产品牌东方通信、厦华、科建、TCL和波导、夏新靠低价反攻。但当时中国没有成型的手机供应链体系，品牌商们没办法在家门口造手机，都是进口整机再贴牌。
这一阶段无论是模具还是注塑、胶粘，都要去韩国、台湾订购。2002年前后，有摩托罗拉的技术股骨干跑出来单干，聚在北京给各大小手机品牌做设计，生意火爆，成了中国ODM行业开端。
做得比较好的德信无线，旗下客户囊括阿尔卡特、西门子、三菱、TCL、波导，年收入超过千万美元，并在2005年登陆纳斯达克。
2006年前后，中国手机产业链遍地黄金，随便一块手机主板就能赚100多元，手机主板方案设计厂商一度接近500家。
这一年，张学政用10万元组建起一个三四十人的小团队，开始做主板方案设计（IDH）淘金。
真正让闻泰崛起的，是站队芯片设计公司展讯。
当时山寨机都用联发科设计的芯片，美国另一芯片公司展讯在市场上节节败退。
张学政非常清楚功能机的痛点不是什么高配置，而是功能、价格。展讯能给闻泰最低价，张学政坚定的站在了展讯这一边。
结果这两个看似并不强的搭档，破天荒地开发出单芯片双卡双待主板。明显优于市面上又厚又笨双芯片结构主板。
这款主板一经推出杀得市场血流成河。据财新报道：“很多使用双芯片的手机出口到非洲、东南亚，船都到了码头，却突然被退货。已经做成双芯片的板子或者手机为了清库存，只能放低价格，很多公司受到冲击关门。”
2007年，闻泰卖出1800万片主板，海尔、海信、长虹、TCL、夏新、波导都成了闻泰的客户。
但IDH形式门槛低，拉出来十几个人懂技术的就能做，张学政能做别人当然也能。
再加上张学政觉得自家的手机方案设计常因制造商的偷工减料，成品不理想，所以决定自己做手机ODM。
2008年，闻泰投资8000万美元，兴建自己的手机制造工厂。这使得闻泰能在帮客户设计完手机方案之后，随即能在自己工厂里采购零件组装出来一部完整的手机。
加上展讯贴地给闻泰出货芯片，闻泰的产品能以极低的价格从腥风血雨的ODM市场杀出来。
此后，联发科为了彻底打败展讯，有意挖角其最大客户闻泰。张学政亦有意拓宽芯片渠道。中间虽经阻力，但双方还是握手合作。
2015年闻泰凭借着与小米、魅族、联想等的成功合作，一跃成为了全球手机ODM的老大，华勤和龙旗排名第二三位。
张学政蛇吞象结果套住葛卫东
中国大陆手机产业链在庞大的市场催生下日渐成熟，不仅低价，也成为质量的代名词。抢走了启蒙老师台湾和韩国的生意。
韩国三星2016年推出的Note7系列手机，因为电池缺陷享受了和炸d同样的待遇，被全世界禁飞，这一政策至今没有取消。
而在中国制造的Note7，采用宁德时代的电池无一爆炸，这大大增加了中国制造的美誉度。
2016年10月27日，沙特阿拉伯权威媒体《国家报》特地刊发了一篇文章，标题简单直白：“中国制造的手机质量世界领先，不爆炸。”
虽然中国手机产业链美誉加身，但挣的始终是份儿辛苦钱，从闻泰科技的财报上就可以看出来。
闻泰科技贵为世界第一ODM厂商，2016年闻泰借壳中茵股份上市后，当年营收134.17亿元，净利润竟只有4798万元，市值刚百亿，根本不是资本市场的菜。
1992年台湾宏碁电脑的创始人施崇棠提出了著名的“微笑曲线”理论。
曲线的两端是产业附加值最大的技术研发和销售服务。中间产业附加值最低的，是组装生产。
链条中间的企业要想持续发展和永续经营，只有不断往附加价值高的区块移动才能保持企业的活力。
和富士康的困局一样，闻泰科技如果想要获取更多的利润空间，要么向下游做品牌，要么向上游做技术和高价值零部件生产。
闻泰科技一直藏在手机厂商背后，做品牌并不占优势，向上游零部件延伸是不错的选择。
张学政本来想买CMOS影像巨头豪威科技，但这块肥肉率先被同在五道口混迹的韦尔股份董事长虞仁荣看上。
豪威科技的创始人之一陈大同是清华大学无线电系1977届校友，虞仁荣则是清华大学无线电系85级校友。张学政虽然2014年在清华读了MBA，但要扯起来同学情谊，还是有点勉强。
陈大同还是闻泰老战友展讯的创办人之一。在陈大同出面调和之下，这场清华系内斗以张学政放弃豪威科技，虞仁荣最终如愿告终。
当然，放弃的理由还有，张学政发现了另一块肥肉——安世半导体。
2016年高通并购恩智浦，为通过中国的反垄断审查，恩智浦便把安世半导体剥离。安世半导体前身为恩智浦标准事业部，有60多年的历史。
安世专注于分立器件、逻辑器件和MOSFET器件市场，三大业务均处于全球领先地位，是一家集设计、制造、封装测试为一体的半导体跨国公司。
2017年2月，以建广资产为GP、合肥芯屏为主要LP的中国资本，购得安世半导体78.39%的股权。
安世半导体的赚钱能力毋庸置疑，2018年，安世半导体营收104.31亿，净利润16.2亿，是闻泰2018年净利润的26倍。
安世半导体被中资收购后，其管理团队本一心想在港股独立上市。但中资财团综合考量之下，决定把安世出售，诸多中国上市公司开始哄抢。
张学政是最坚决的一个。
安世半导体的管理团队一开始并看不上这些名不见经传的中国公司，质疑道：
“中国这几家公司水平、能力都远低于安世，如果与其合并或成为其子公司，会给安世半导体员工的情绪带来负面影响，并导致团队不稳定。”
傲慢的意见没有对张学政的收购步伐造成太大影响。
2018年4月起，张学政撬动300多亿资金，开始这场半导体领域最大收购案。
整个收购过程中漫长而复杂，闻泰引入不少战略投资，当时醉心搞芯片的董明珠甩给张学政30亿元，要掺一脚。
张学政大部分买安世的钱，都是借贷或股权融资而来。
在2019年的交易案中，闻泰科技支付的现金为168.34亿元，其中自有资金仅为17.05亿元，募集配套资金43.37亿元，境内借款为51.6亿元，境外借款56.32亿元。
张学政聪明之处在于把并购时间拉长到近三年之久。这大大缓解了闻泰的资金压力。闻泰的股价在收购的过程中跟着起飞，融资变得容易，定增吸引了不少大佬参与。
结果大佬纷纷被套。
2020年7月28日，闻泰发公告宣布57.54亿的定增超额完成，发行价格130.1元/每股。
这次定增吸引了易方达、华夏、博时等大型公募基金，还有葛卫东、高毅等明星私募，更包括瑞银、瑞信、摩根大通等知名投行，明星云集。
这4458万股定增到2021年1月28日才解禁，结果当天闻泰股价大跌超5%，报109.92元。
2021年1月28日到现在，闻泰的股价再也没突破130元，各位大佬的成本还没收回来。
鲸吞安世半导体，在给闻泰增添想象力的同时，也埋下了巨额商誉。截至2020年6月，闻泰科技商誉激增至226.97亿元，上年同期为13.29亿元。
故事何时兑现？
外界对于闻泰的质疑在于，当标签和想象力都加诸于身，未来的利好能否如期兑现？
从2018年4月到2020年7月10日，闻泰的股价涨幅468%，最高市值超过1700亿元。
闻泰科技加安世半导体的估值已远远超过1加1大于2的效果。最高时市场给与其百倍市盈率，这说明市场已经把闻泰科技当成了芯片公司来估值，而不是代工厂。
更显著的应该是对赚钱能力的改善。
并表闻泰之后，闻泰净利润犹如久旱甘霖，最近四个季度闻泰归母净利润分别为7.23亿元、6.35亿元、10.66亿元、5.58亿元增长1954%、1380%、767%、326%。
高增长显然不可能一直持续。安世半导体虽是国际半导体巨头，但是业务增长稳定，最近两年营收增长均低于5%。
安世半导体2019年营业收入103.07亿元，上年同期为104.31亿元；2019年净利润12.58亿元，上年同期为13.40亿元。
从2013年到2019年，安世的营业收入CAGR（复合年均增长率）约 4%。
安世半导体主营半导体功率器件。产品的特点其实是出货大，单价极低，质量稳定，更新迭代的速度并不遵循摩尔定律，迭代周期相对较长。同时应用于汽车半导体，要求更高、标准更严。
当初恩智浦剥离安世半导体，一个原因也是安世在技术和附加值上属于低端业务。安世在高端功率半导体领域相较于英飞凌、三菱、科锐、WOLFSPEED等巨头并没有技术优势。
因此，闻泰辛辛苦苦买下国际半导体巨头，还只是成为牌桌上的玩家，而并没有成为领先的超越者。
其实，收购豪威科技的韦尔股份也面临这种情况。虽然韦尔股份是图像传感器巨头，但最先进的摄像头传感器技术还在索尼手里握着。韦尔股份暂时只能屈身低端。
在市场冷静下来之后，闻泰的股价从170元左右，慢慢修复到100元左右，估值也从1700亿回落到千亿。
调整后这被视为闻泰更合理的估值。
国内功率半导体同行华润微2020年前三季度营收48.89亿亿元，净利润7.58亿元，市值700多亿，3月18日市盈率(TTM)为82倍。
对比之下，闻泰营收2020年前三季度营收383.40亿元，净利润23.03亿元，市值1300多亿元，3月18日市盈率(TTM)为41倍，目前不算太高估。
说明去年最高点市场认为闻泰是一家半导体公司，现在闻泰科技的市盈率是一家代工厂的水平。
但闻泰财务结构显然更“刺激”。
为了收购安世不仅大额举债，商誉也高达226.97亿。闻泰目前资产负债率53%，华润微为32%。
安世半导体未来的业绩牵扯甚广，将会直接关系到巨额商誉是否会减值。闻泰科技大部分的想象力都集中在其未来的业绩之上。
张学政当然知道，所以在全力对其进行催化。
收购安世后的短短半年内，张学政又花300亿，干了三件大事。
分别是，在上海特斯拉工厂旁边搞一座“12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心”，投资120亿元，2022年7月投产，生产的“功率IGBT”是新能源汽车必不可少的核心组件。
投资100亿元，和无锡市政府签订“超级智慧产业园”项目，搞一个“1+8+N”智慧超级工厂及研发中心。
还有就是准备花50亿~60亿元把欧菲光的摄像头资产买了。现在这部分业务已经被苹果抛弃了，不知道张学政是不是买了后能再进去，或者另有打算。
全球缺芯的背景下，尤其汽车芯片短缺，上海临港工厂扩充安世半导体的产能期待更高一点。但到2022年7月投产时，全球缺芯情况如何，不好说。突然扩张的芯片产能，安世能否消化，也不好说。
闻泰科技在1月底预告的2020年业绩中，全年净利润预告为24亿元～28亿元，取个中位数26亿元估算。闻泰科技2020第四季度的净利润约为3亿元左右，比上一季度的5.52亿元将会大幅下降。
这让人不免担忧闻泰科技未来业务的增长性。
闻泰几乎集齐了最赚钱的标签：中国唯一的世界级IDM（整合元件制造商）半导体公司、车规级汽车半导体公司、最大的模拟电路半导体公司、世界第一ODM公司、打入苹果产业链、特斯拉产业链。
任何一个听起来少说都值500亿。
但一个投资者听了闻泰的调研纪要，评价说：这家公司利好全在未来，利空全在当下。
债务、业务增速、商誉在当下，“下一个台积电”的畅想还在未来。
扩张让闻泰的天花板极高，想象空间极大，但大规模是否意味着高质量和切实增长的业绩？
经济学有句名言：规模是问题的解药，规模也是一切问题的根源。
中国的代工厂、产业链这几年都在纷纷向微笑曲线的两端移动。但放眼望去无论是特斯拉产业链、还是苹果产业链，中国公司大部分时候还只是打工人。
工信部3月1日发布了一组数据：2020年我国工业增长值达到31.31万亿，连续11年位居世界第一制造业大国。
这条消息上了微博热搜，顶上第一的网友评论是这样的：
“很骄傲吗？不就是世界工厂，最脏最累的活儿我们干。”
十年前，中国还在骄傲着“全世界一半的iPhone是郑州造出来的。”现在却没人甘于只做工厂，而是渴望像谷歌、苹果一样在阳光明媚的办公楼里喝茶健身，谈笑间制定规则，获取行业90%利润。
中国高科技企业在各种情绪裹挟之下开始变得更复杂，有些项目急于上马后又马上失败。你说他没业绩，他说我是国产替代有未来。最怕的是搞科技的都学会了玩金融，信仰的不再是技术，而是资产转移大法。内卷之后，卡脖子的技术却仍旧让人窒息。
恰应了诺奖得主卡内蒂的那句名言：旧的答案分崩离析，新的答案还没有着落。
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今天我们一起梳理一下北方华创，公司主要从事基础电子产品的研发、生产、销售和技术服务， 主要产品为电子工艺装备和电子元器件 ，是国内主流高端电子工艺装备供应商，也是重要的高精密电子元器件生产基地。
公司电子工艺装备主要包括半导体装备、真空装备和锂电装备 ，广泛应用于集成电路、半导体照明、功率器件、微机电系统、先进封装、新能源光伏、新型显示、真空电子、新材料、锂离子电池等领域。电子元器件主要包括电阻、电容、晶体器件、微波组件、模块电源等，广泛应用于精密仪器仪表、自动控制等高、精、尖特种行业领域。
半导体制造过程分为硅片制造、晶圆加工和封装测试三个步骤。 半导体制造过程需要经过几百道复杂的工艺流程，但可以大致分为硅片制造、晶圆加工和封装测试三大环节。 硅片制造是半导体制造的第一大环节，主要是将天然硅石通过提炼加工得到晶圆加工所需要的硅片，其涉及的主要设备包括单晶炉、切磨抛光设备。晶圆制造是通过数百道复杂工艺将硅片加工成半导体的过程，其涉及的主要设备包括热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、抛光和清洗等设备。 封装和测试是将完成加工的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程，主要涉及的设备有分选机和测试机等。
半导体设备投资中晶圆加工设备占比达80%。 半导体设备在新建的晶圆厂资本支出中占比为80%，而在半导体设备中晶圆加工设备占比为80%，为最主要的资本支出项目，封装测试设备占比15%，其余设备占比5%。根据前瞻产业研究院的数据，在晶圆加工设备中，刻蚀机投资占比最高达30%，其次是薄膜沉积设备占比25%，光刻机占比23%，其余设备合计占比22%。 在各细分领域中，我国半导体设备企业具备竞争力的设备主要包括刻蚀设备、薄膜沉积设备以及清洗设备 。
2019年全球刻蚀设备规模约115亿美元，市场集中度高，CR3达91%。 全球刻蚀设备主要由泛林半导体（LAM）、东京电子（TEL）和应用材料（AMAT）垄断，其市场占有率分别为52%、20%和19%。 国内主要的刻蚀设备企业包括中国电科、中微公司、北方华创和屹唐半导体。其中中微公司刻蚀产品以电容耦合刻蚀（CCP）为主，北方华创刻蚀产品以电感耦合刻蚀（ICP）为主 。
薄膜沉积设备以化学气相沉积（CVD）为主，占比53%，物理气相沉积（PVD）占比25%。 半导体薄膜沉积设备主要可以分为CVD、PVD和包括原子层沉积（ALD）在内的其他沉积设备。根据前瞻产业研究院数据，三者的市场份额占比分别为53%、25%和18%。在CVD市场中。应用材料、泛林半导体和东京电子占据了70%的市场份额；在PVD市场中，应用材料市占率高达85%，处于绝对垄断的地位。 国内薄膜沉积设备龙头有北方华创和沈阳拓荆。其中，北方华创产品线覆盖CVD、PVD和ALD，沈阳拓荆主要覆盖CVD和ALD 。
半导体清洗设备中，湿法清洗为主，占比90%，干法清洗占比10%。 随着半导体制程推进，对工艺水平要求也越来越高，清洗工艺显得越发重要。按照清洗原理来分，清洗设备可分为干法清洗设备和湿法清洗设备，其中湿法清洗设备市场占比达90%，是主要的清洗设备。清洗设备市场集中度较高，CR4达94%，其中Screen市占率54%，是清洗设备的主要生产商。 国内清洗设备商主要有至纯 科技 、北方华创和盛美半导体，盛美半导体目前主要产品是单片式清洗设备，北方华创和至纯 科技 目前仍主要以槽式清洗为主，三者核心产品存在差异，正面竞争较少 。
近年来我国半导体设备市场正处于快速增长的阶段，2015年我国半导体设备市场规模为49亿美元，2019年在全球市场下降的情况下，大陆半导体设备市场规模达134.5亿美元，同比增长2.6%，2015-2019年CAGR为28.7%，高于全球平均水平。 随着今年国内晶圆厂资本支出的上升，半导体设备将充分受益 ，根据SEMI的最新预测，2020年中国大陆半导体设备市场规模将达173亿美元，同比增长28.6%。而在2020年国内晶圆厂密集资本支出之后，2021年中国大陆半导体设备市场规模将小幅回落，市场规模为166亿美元，同比下降4%，仍旧为全球最大半导体设备市场。
2019年国产半导体设备销售额为161.82亿元，同比增长30%。其中集成电路设备销售额为71.29亿元，同比增长55.5%。而中国大陆2019年半导体设备市场规模134.5亿美元，国产化率约17%，具备较大国产替代空间 。
半导体设备是公司最重要的业务，也是未来最重要的发展方向。 北方华创作为国资背景的半导体设备国产化主力军，承担了863计划和国家02专项等多个半导体设备公关研发项目，包括刻蚀设备、PVD和CVD设备的研发和产业化，公司承担项目已部分完成验收实现产业化。
在集成电路刻蚀设备方面，公司主要覆盖ICP刻蚀设备，而中微公司主要覆盖CCP刻蚀设备，两者短期内并不存在直接竞争的关系。 公司ICP刻蚀设备主要用于硅刻蚀和金属材料的刻蚀，28nm制程以上刻蚀设备已经实现产业化，在先进制程方面，公司硅刻蚀设备已经突破14nm技术，进入上海集成电路研发中心，与客户共同开展研发工作。
PVD是公司最具竞争力的半导体设备产品。 磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。北方华创突破了溅射源设计技术、等离子产生与控制技术、颗粒控制技术、腔室设计与仿真模拟技术、软件控制技术等多项关键技术，实现了国产集成电路领域高端薄膜制备设备零的突破，设备覆盖了90-14nm多个制程。根据公司官网消息，公司PVD设备被国内先进集成电路芯片制造企业指定为28nm制程Baseline机台，并成功进入国际供应链体系。
公司氧化扩散设备技术成熟，国内市占率较高。 氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，退火指集成电路工艺中所有在氮气等不活泼气氛中进行热处理的过程。上述工艺广泛用于半导体集成电路制造，北方华创的立式炉、卧式炉设备达到国内半导体设备的领先水平，成为了主流厂商扩散氧化炉设备的优选，实现了较高的设备国产化率。
公司依靠地理优势，提供优质本地服务，增强了产品竞争力。随着国内晶圆厂资本支出上升，半导体设备国产化步伐加快，公司近年来在长江存储、华虹无锡、华力集成、上海积塔、燕东微电子等多个项目取得订单。公司5/7nm先进制程设备研发项目有序推进，奠定公司长期竞争力 。
一、半导体设备龙头企业
北方华创成立于2001年，前身可追溯到国家“一五”期间建设的军工重点项目；2010年深交所上市；2015年七星电子和北方微电子战略重组为北方华创；2016年完成重组并引进大基金等战略投资者实现了产业与资本的融合；2017年更名北方华创；2018设立北方华创美国硅谷研究院，开展先进半导体设备技术研发；2019年募资20亿元用于半导体设备研发及产业化项目和高精密电子元器件扩产。
二、业务分析
2015-2020年，营业收入由8.54亿元增长至60.56亿元，复合增长率47.96%，20年同比增长49.23%，2021Q1实现营收同比增长51.76%至14.23亿元；归母净利润由0.39亿元增长至5.37亿元，复合增长率0.73%，20年同比增长73.75%，2021Q1实现归母净利润同比增长175.27%至0.73亿元；扣非归母净利润分别为-0.05亿元、-2.61亿元、-2.08亿元、0.76亿元、0.70亿元、1.97亿元，20年同比增长180.81%，2021Q1实现扣非归母净利润同比增长348.98%至0.32亿元；经营活动现金流分别为-0.44亿元、-2.01亿元、0.32亿元、-0.20亿元、-9.41亿元、13.85亿元，20年同比增长247.12%，2021Q1实现经营活动现金流同比下降8.40%至6.61亿元。
分产品来看，2020年电子工艺装备实现营收同比增长52.58%至48.69亿元，占比80.40%，毛利率减少5.79pp至29.44%；电子元器件实现营收同比增长37.46%至11.65亿元，占比19.24%，毛利率增加6.26pp至66.15%；其他实现营收同比增长12.29%至2192.83万元，占比0.36%。
2020年前五大客户实现营收26.44亿元，占比43.66%，其中第一大客户实现营收11.77亿元，占比19.43%。
三、核心指标
2015-2020年，毛利率由40.62%下降至17年低点36.59%，随后逐年提高至19年40.53%，20年下降至36.69%；期间费用率16年上涨至高点64.11%，随后逐年下降至19.19%，其中销售费用率16年上涨至高点6.70%，随后逐年下降至18年低点5.08%，而后上涨至5.84%，管理费用率16年上涨至高点55.72%，随后逐年下降至19年低点13.75%，20年上涨至14.06%，财务费用率由1.96%下降至17年低点1.20%，随后逐年上涨至19年高点2.44%，20年下降至-0.71%；利润率由8.79%下降至17年低点7.53%，随后逐年提高至14.06%，加权ROE由2.09%提高至8.51%。
四、杜邦分析
净资产收益率=利润率*资产周转率*权益乘数
由图和数据可知，15-17年净资产收益率的提高是由于资产周转率和权益乘数的提高，18年净资产收益率的提高是由于利润率、资产周转率和权益乘数共振提高所致，19年 净资产收益率的下降是由于权益乘数的下降，20年净资产收益率的提高是由于利润率和资产周转率的提高。
五、研发支出
20年公司研发投入同比增长41.39%至16.08亿元，占比26.56%，资本化10.52亿元，资本化率65.38%；截止2020年末公司研发人员1415人，占比23.67%。
六、估值指标
PE-TTM 150.18，位于近3年50分位值附近。
根据机构一致性预测，北方华创2023年业绩增速在33.45%左右，EPS为2.84元，18-23年5年复合增长率43.33%。目前股价176.46元，对应2023年估值是PE 61.97倍左右，PEG 1.85左右。
看点：
公司作为国内半导体设备龙头企业，深度布局半导体装备、真空装备、新能源锂电装备和精密元器件，产品体系具有较强竞争力，同时在技术研发、客户卡位等方面优势明显，叠加晶圆厂扩产潮再度开启，国产替代进程提速可期，公司核心竞争优势凸显，有望引领半导体设备国产替代大潮崛起。
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