造成芯片漏电不良的原因

造成芯片漏电不良的原因,第1张

LED漏电的原因:

在引言部分,罗列了一些人给出的造成LED漏电的原因。根据本人多年处理LED问题及使用LED的经验,本人认为,在目前,最可能导致LED发生漏电的主要原因排序应该如下:

1、芯片受到沾污 (——最主要、高发问题)

LED芯片是非常小的,灰尘等易对它产生遮蔽作用,最重要的是灰尘、水汽、各种杂质离子会附着与芯片表面,不仅会在表面对芯片内部产生作用,还会扩散进入芯片内部产生作用。比如,铜离子、钠离子都很容易扩散进入半导体材料中,非常微小的数量就可以使半导体器件的性能严重恶化。

2、银胶过高

3、打线偏焊

4、应力

5、使用不当

6、晶片本身漏电

7、工艺不当,使得芯片开裂

8、静电

9、其它原因

沾污漏电和PN结或体材料受损漏电的区分,有些状况很难直接判定,需要解剖取出芯片来观察分析。但是,有些现象确实可以区分的。比如上面的六个实例中都是沾污造成的漏电。

二极管在反向截止的时候,并不是完全理想的截止。在承受反压得时候,会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小,而且反压越高,漏电流越大,温度越高,漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗,特别在高压应用场合。产生的原因:从半导体材料内部结构看,是外加反向电压在PN结势垒区所产生的反向电场E大于势垒区扩散电荷形成的电场E。,导致了通过PN结的反向漏电电流。势垒区的薄厚,以及所加反向电压的大小共同决定了漏电电流的大小。

氮化镓漏电击穿原理是由于电场密度较大,从而会造成氮化镓半导体器件的漏电以及击穿。进而会损坏氮化镓半导体器件,降低氮化镓半导体器件的可靠性。从源极注入的电子可以经过GaN缓冲层到达漏极,形成漏电通道,过大的缓冲层泄漏电流同样会导致器件提前击穿。


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