什么是有源层？

半导体制造工艺进行扩散和注入,形成 IC 有源器件的部分.

这种结构由三层不同类型半导体材料构成,中间层通常为厚度为0.1～0.3μm的窄带隙P型半导体,称为有源层,作为工作介质,两侧分别为具有较宽带隙的N型和P型半导体,称为限制层.具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结.有源层与右侧的N层之间形成的是P--N异质结,而与左侧的P层之间形成的是P--P异质结,故这种结构又称N-P-P双异质结构,简称DH结构.

最初应用于有机薄膜晶体管半导体有源层的既是有机共辘高分子材料,如polyaeetylene(PA)、polythiophene及pozypyrroze等。为了增加聚合物的溶解性,以便于印刷、喷墨打印、旋涂等低成本制备工艺,常在高分子主链上加上取代基,如poly(3一alkyzthiophene)(PAT)或者利用可溶性的先驱物(preeursors)再聚合成高聚物材料,如polyaeetylene(PA)、p01yphenylenevinylene(即V)及polythienylenevinylene(PTv)。[1]目前,大量的共扼低聚物也被应用于OTTF的有源层,其中以唆酚(thiophene)的低聚物被研究的较多。从不含取代基的3T(terthiophene)到ST(octihtiophene),以及在p位置或在两端。位置含烷基链取代基的唆酚低聚物都曾被广泛研究过164一67],而以4T(q。aterthi。phene)和6T(seXithi。phene)以及它们Q、。二己基衍生物的表现较好,其结构如图1.5所示。但由于这一类低聚物的溶解度较差,因此在制备上一般采用真空蒸发方式来成膜。富含兀电子分子有机材料在近十几年来也被陆续应用于OTFT有源层,例如并五苯(pentaCene),酞首(phthal。Cyanine)系列金属配合物(如稀土类sCPeZ、LuPe:和TmPeZ,NIPc、znPc和euPc、F16MPc等),富勒烯e6o(fullereneee6o)以及TeNQ(tetraeyanoquinodimethane)等。

音频信号光纤传输实验

光纤在通讯领域、传感技术及其他信号传输技术中显示了愈来愈广泛的用途，也显示了其愈来愈重要的地位。随之而来的电光转换和光电转换技术、耦合技术、光传输技术等，都是光纤传输技术及器件构成的重要成分。对于不同频率的信号传输和传输的频带宽度，上述各种技术有很大的差异，构成的器件也具有不同的特性。通过实验了解这些特性及其对信息传输的影响，有助于在科研与工程中恰当地使用这一信号传输技术。

一、实验目的

1.熟悉半导体电光/光电器件的基本性能及主要特性的测试方法。

2.了解音频信号光纤传输的结构及选配各主要部件的原则。

二、实验仪器

FD-OFT-A型音频信号光纤传输实验仪实验主机（包括音频信号发生器、光功率计、LED放射器、SPD接收器等）、多模光纤（装于骨架上），半导体收音机，示波器组成

三、实验原理

1. 音频信号光纤传输系统的原理

传输系统由逗光信号发送器地、逗光信号接受器地和逗传输光纤地三部分组成。其原理主要是：先将待传输的音频信号作为源信号供给逗光信号发送器地，从而产生相应的光信号，然后将此光信号经光纤传输后送入逗光信号接受器地，最终解调出原来的音频信号。为了保证系统的传输损耗低，发光器件LED的发光中心波长必须在传输光纤的低损耗窗口之内，使得材料色散较小。低损耗的波长在850nm，1300nm或1600nm附近。本仪器

LED发光中心波长为850nm，光信号接受器的光电检测器峰值响应波长也与此接近。

为了避免或减少波形失真，要求整个传输系统的频带宽度能覆盖被传输信号的频率范围。由于光纤对光信号具有很宽的频带，故在音频范围内，整个系统频带宽度主要决定于发射端的调制信号放大电路和接收端的功放电路的幅频特性。

2. 半导体发光二极管LED的结构和工作原理

光纤通讯系统中对光源器件在发光波长、电光功率、工作寿命、光谱宽度和调制性能等许多方面均有特殊要求，所以不是随便哪种光源器件都能胜任光纤通讯的任务，目前在以上各方面都能较好满足要求的光源器件主要有半导体发光二极管（light emitting diode，缩写LED）和半导体激光器（Laser Diode，缩写LD）。以下主要介绍发光二极管。半导体发光二极管是低速短距离光通信中常用的非相干光源，它是如图

3所示的N-P-P三层结构的半导体器件，中间层通常是由直接带隙的GaAs砷化镓P型半导体材料组成，称为有源层，其带隙宽度较窄，两侧分别由AlGaAs的N型和P型半导体材料组成，与有源层相比，它们都具有较宽的带隙。具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结，中，有源层与左侧的N层之间形成的是P-N异质结，而与右侧P

层之间形成的是P-P异质结，所以这种结构又称为N-P-P双异质结构，简称DH结构。

当在N-P-P双异质结两端加上偏压时，就能使N层向有源层注入导电电子，这些导电电子一旦进入有源层后，因受到P-P异质结的的阻挡作用不能再进入右侧P层，它们只能被限制在有源层内与空穴复合，同时释放能量产生光子，发出的光子满足以下关系：

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