半导体行业芯片封装与测试的工艺流程

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

空穴电压是靠电源电动势流过导线的。

电动势是正电荷在电池外部的电场中只能从正极到负极，为了把正电荷移动回正极（电池内部完成），必须有非静电力克服电场力做功，也就是化学能转化为电能的过程。所以W是非静电力克服电场力做的功，公式中的E其实表示的是电势差（U),不是表示电场的（虽然电场强度也用E表示）。

电动势公式是E＝W／q （E为电动势）

E=W/q （E为电动势，W为非静电力做功）

E=U+Ir=IR+Ir

（U为外电路电压，也称路端电压。r电源内阻，R为外电路电阻）

*所谓的空穴电流只存在于半导体内部，还要根据半导体类型和结构，才能细说讨论。

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