什么是零点漂移现象？什么是温度漂移？

零点漂移概念（零漂）可描述为：指当放大电路输入信号为零（即没有交流电输入）时，由于受温度变化，电源电压不稳等因素的影响，使静态工作点发生变化，并被逐级放大和传输，导致电路输出端电压偏离原固定值而上下漂动的现象 它又被简称为：零漂。在漂移现象严重的情况下，往往会使有效信号“淹没”，使放大电路不能正常工作。因此，必须找出产生零漂的原因和抑制零漂的方法。

温度漂移一般是指，环境温度变化时会引起晶体管参数的变化，这样会造成静态工作点的不稳定，使电路动态参数不稳定，甚至使电路无法正常工作。一般来说，温度升高，晶体管的电流放大倍数增大，Q点升高；反之减小。这部分额外增加的电流是温度变化引起的，理解为温度漂移。

扩展资料：

零点漂移是直接耦合放大电路中存在的一个特殊问题。所谓零点漂移的是指放大电路在没有输入信号时，用灵敏的直流表测量输出端，也会有变化缓慢的输出电压产生，称为零点漂移现象，如图所示。

零点漂移的信号会在各级放大的电路间传递，经过多级放大后，在输出端成为较大的信号，如果有用信号较弱，存在零点漂移现象的直接耦合放大电路中，漂移电压和有效信号电压会混杂在一起被逐级放大，当漂移电压大小可以和有效信号电压相比时，是很难在输出端分辨出有效信号的电压在漂移现象严重的情况下，往往会使有效信号“淹没”，使放大电路不能正常工作。因此，必须找出产生零漂的原因和抑制零漂的方法。

参考资料来源：百度百科-温度漂移

参考资料来源：百度百科-零点漂移

耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区 .P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡.

少子漂移和多子扩散是半导体物理学中的两个重要概念。

少子漂移是指半导体中自由电子或空穴在电场作用下的运动，这种运动只涉及到少数的电荷载流子。

多子扩散则是指半导体中大量载流子（自由电子或空穴）在浓度差或浓度梯度作用下的运动，这种运动涉及到大量的电荷载流子。

简单来说，少子漂移是少量电荷载流子的移动，而多子扩散是大量电荷载流子的扩散。

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