n型半导体中多数载流子是什么?

N型半导体中多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

N型半导体也称电子型半导体，指自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体，参杂磷等Ⅴ族元素。

特点：

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为 P型半导体。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

在这类半导体中， N型半导体参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正 电荷量与 负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质 原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（ 自由电子）的 浓度就越高，导电性能就越强。

n代表negative 表示富电子体系。一般是硅杂V族元素，多了电子。所以大多数载流子是自由电子。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子。

扩展资料：

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时。

可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，虽然有多余的电子在半导体中可以自由运动，但N型半导体是不带电的。

之所以N型半导体中有电子是作为载流子，但电子的产生是因为硅晶圆中的硅原子，被掺杂了磷原子。磷原子因为比硅多一个电子，取代硅原子的位置后，多出来的一个电子形成自由流动的载流子。但因为磷原子带一个单位的正电荷，所有N型半导体总体上是不带电的。

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