纳米线的制备方法

纳米线的制备方法,第1张

纳米线的制备有被悬置法、沉积法、元素合成法等。

被悬置法:指纳米线在真空条件下末端被固定。悬置纳米线可以通过对粗线的化学刻蚀得来,也可以用高能粒子轰击粗线产生。

沉积法:指纳米线被沉积在其他物质的表面上,例如它可以是一条覆盖在绝缘体表面上的轴向线。

元素合成法:这种技术采用激光融化的粒子或者一种原料气硅烷作原材料,然后把原材料暴露在一种催化剂中。对纳米线来说,最好的催化材料是液体金属的纳米簇。原材料进入到这些纳米簇中并充盈其中,一旦达到了超饱和,源材料将固化,并从纳米簇上向外生长。最终产品的长度可由原材料的供应时间来控制。具有交替原子的超级网格结构的化合物纳米线可以通过在生长过程中交替原材料供应来实现。

另一种方式产生纳米线是通过STM 的尖端来刻处于熔点附近的金属。这种方法可以形象地比作“用叉子在披萨饼上的奶酪上划线”。

以下内容是关于电池方面的专利申请文:

摘要:本发明涉及一种Bi19S27Br3纳米线制备方法。采用一种简单的胶晶溶液法,以BiBr3和双(三甲基硫化硅)作为原料,油胺和油酸作为表面活性剂,十八烯作为溶剂,利用金属离子(如Al3+、Fe3+、Fe2+,Co3+、Co2+、Ni2+等)控制纳米线的形貌和物相。反应采用标准的无水无氧 *** 作装置(史兰克线)进行,反应温度140~240℃,反应时间5~120min。本发明的半导体纳米线制备方法简单易行,反应条件温和, *** 作成本低,且制备的纳米线形貌规整、尺寸均一。

主权项:一种Bi19S27Br3纳米线制备方法,其特征在于:纳米线是以BiBr3和双(三甲基硫化硅)为原材料,油胺和油酸作为表面活性剂,十八烯作为溶剂,利用金属离子控制纳米线的形貌和物相;具体制备条件为:0.1‑2.0mmol金属离子的乙酰丙酮化物或氯化物中的一种或二种以上,0.2‑0.6mmol的BiBr3,300‑500μL油胺,300‑500μL油酸和4‑6mL的十八烯加入到50mL两口烧瓶,于80‑120℃下脱气15‑60min,充入Ar气,升温至140‑240℃,用注射器注入1mL含有0.3‑0.9mmol双(三甲基硫化硅)的十八烯,反应5‑120min;所述纳米线以金属离子控制形貌和物相,金属离子为Al3+、Fe3+、Fe2+,Co3+、Co2+、Ni2+中的一种或二种以上。

纳米线可以被定义为一种具有在横向上被限制在100纳米以下(纵向没有限制)的一维结构。悬置纳米线指纳米线在真空条件下末端被固定。典型的纳米线的纵横比在1000以上,因此它们通常被称为一维材料。1根据组成材料的不同,纳米线可分为不同的类型,包括金属纳米线,半导体纳米线和绝缘体纳米线。纳米线均在实验室中生产,截至2014年尚未在自然界中发现。纳米线可以由悬置法、沉积法或者元素合成法制得。悬置纳米线可以通过对粗线的化学刻蚀得来,也可以用高能粒子(原子或分子)轰击粗线产生。实验室中生长的纳米线分为两种,分别为垂直于基底平面的纳米线和平行于基底平面的纳米线。生产纳米线的硅和氧在地壳层是最常见的可持续和廉价利用的元素。实验表明纳米线可以被用于下一代计算设备,例如:通过对纳米线掺杂,并对纳米线交叉可以制作逻辑门。这些在小尺度下才具备的性质使得纳米线被广泛应用于新兴的领域,例如纳电机系统(NEMS纳机电系统)。


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