在我国大陆半导体企业中,中芯国际无疑是其中的佼佼者,为中国芯事业贡献了自己巨大的力量。而中芯国际的创始人张汝京虽然年逾古稀,但是在离开中芯国际的时候并没有就此离开我国的芯片事业。
最近,张汝京又做出了新动作,这次的目标是芯片制造设备。那么,当初张汝京入局芯片,揭开了中国芯崛起的序幕,如今入局芯片制造设备,又会对我国带来怎样的影响呢?张汝京的这个举动,能否使国产半导体设备迎来转机呢?
12月26日,万业企业公开表示,旗下的控股子公司嘉芯半导体已经和嘉善县西塘镇人民政府签署了签署了有关于半导体设备的投资协议书。那么,这样的举动和张汝京又有什么关联呢?
据说,嘉芯半导体成立于2021年4月30日。主要的股东有上海万业和宁波芯恩,其中的宁波芯恩的法定代表人就是张汝京。这次和万业企业在芯片制造设备展开合作,想必背后也是张汝京的助力。
曾经,张汝京盯上了芯片,于是创办了中芯国际,那么这次张汝京又是为什么,会在全球缺芯的情况下,不去生产芯片迎合这样的时代红利,反而进军芯片制造设备呢?
首先,芯片制造设备领域市场广阔
目前,在当今国际 社会 中,由于 科技 的进步,加上全球缺芯的影响,导致芯片制造设备的市场十分广阔。而且,更重要的是,在这样广阔的市场之下,偏偏还没有多少的入局者,基本上都还是阿斯麦尔一家独大的局面。
消费市场广阔,入局者少,这样的局面很有可能会带来巨大的经济利益,张汝京会盯上这个领域其实也并不奇怪。
其次,摆脱“卡脖子”的关键技术
一直以来,张汝京为“中国芯”的崛起不断努力,但是,中国芯目前依旧有一道难以跨越的鸿沟,那就是芯片制造设备。没有这台设备,差不多就等于“有d没q”。我国在芯片方面之所以还会被外国“卡脖子”,没有制造设备是一个很重要的因素。
张汝京或许真的想要为中国芯的崛起出一份自己力所能及的力量,通过芯片制造设备的投资和研发,帮助我国从核心上摆脱对外国的依赖。促进中国芯未来更大的进步和发展。
当初,张汝京盯上了芯片,促进了中国芯的崛起,如今张汝京盯上了芯片制造设备,又会对我国带来怎样的影响呢?
首先,提高我国国际影响力
放眼如今全球,能够成熟生产芯片制造设备的只有阿斯麦尔。如果张汝京这次能成功,那么必将又是一个震惊世界的成绩,这样一来,就能向世界再一次证明我国强劲的科研实力,在 科技 实力越来越成为综合国力较量的今天,对于提高我国国际影响力而言,也是大有帮助的。
其次,满足我国芯片需求,促进我国 科技 发展
这次,张汝京进军芯片制造设备领域,要是真能取得成功,那么将很有可能会极大地提升我国的芯片产能,极大地满足我国的芯片需求,在芯片的用途日益广泛的今天,但我国有了充足芯片之后,甚至还有可能会促进我国 科技 扥发展和进步。
可能有人会认为,张汝京的芯片制造设备就算成功了,不是也只能生产中低端芯片吗?确实,但是目前甚至在未来很长一段时间里,中低端芯片很有可能都会是主角。
最后,增加我国经济收益
目前全球缺芯,缺少的正好就是中低端芯片,这样一来,如果张汝京的芯片制造设备真的能够成功的话,虽然未必能超过阿斯麦尔,但是在芯片国际消费市场这么广阔的前景下,我国还是很有可能可以凭借这台芯片制造设备,增加我国自己的经济利益。随着我国经济利益的增加,反过来也可以促进我国 科技 的发展。
张汝京进军芯片制造设备,作为一个曾经帮助中国芯崛起的芯片界大佬,在张汝京做下这样一番大动作之后,国产半导体是否能迎来转机呢?
其实,国产半导体要想迎来转机也还是很有可能的,毕竟一来,我国在一定程度上实现了芯片上面的百分百自主,减轻了对外国的强烈依赖。这在一定程度上也能促进我国国产半导体事业的发展和进步。
二来,如果张汝京的半导体制造设备布局能成功,那么,那就等于我国在芯片研发生产上完全实现了独立自主,那么一些西方别有用心的国家对我国“卡脖子”的威胁也就减轻了,这样一来,就能够为我国芯片的发展和进步提供一个良好的发展环境,国产半导体在这样的环境下,实现转机性的发展其实也不是不可能。
张汝京再度出手,这次的方向就是芯片制造设备。我们可以想见,如果张汝京的布局真的能够成功的话,对于我国的半导体事业无疑会有巨大的帮助。未来,红色的中国芯也一定能闪耀全球,让全球再次见证,震惊世界的中国力量!
前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。
湿制程主要是由液体参与的流程,如清洗、电镀等。干制程则与之相反,是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高,仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化,还需要进行综合评估,以解决多步骤的问题。
扩展资料:
这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管,与之相对应的是后道(back end of line,BEOL)工艺,后道实际上就是建立若干层的导电金属线,不同层金属线之间由柱状金属相连。
新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料,例如:后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料,它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。
参考资料来源:百度百科-后道工序
参考资料来源:百度百科-半导体
参考资料来源:百度百科-前道工艺
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