半导体概念类的基础问题。。

1.其实你的问题是因为概念的混淆。

当电子移动时，留下的空状态可以被看成假想的粒子，这些空状态被叫做空穴。由以上空穴的定义可以看到，空穴其实是假想的与电子相对应的一种粒子。而磷原子在N型半导体中形成正离子的原因是其5个价电子只有4个与Si或Ge成键，剩余的一个则以电子的形式放出，所以该磷并不是假想的，而是实际存在的。所以我们说它形成了正离子而不是空穴。

2.对。

但是在这里我有个疑问：你为什么没有问“实质是不是就是N区的电子向P区移动，P区的空穴向N区移动”呢？

当弄清楚第一个问题后，答案很简单，空穴是假想的，是电子移动的结果。

3.空间电荷区实际上是一个载流子不断复合的动态平衡的区域。也就是载流子复合一直存在于其中，但是多子的扩散与少子的漂移动态平衡，宏观上看来，是一个稳定的区域。明白了这个，你的疑问也许就会消除了。

以上个人看法，希望指点！

这里计算rbe，要用到发射极静态点电流；

则：Ib*Rb+Ube = Ucc，（Ube=0.7v），Ie =(1+β）*Ib；

而源电压放大倍数：

这里，Vbe=Ui，就是上面的 Ui；上面电压放大倍数：Au=Uo/Ui=β*RL'/rbe

则 Ui/Us = rbe/(Rs+rbe)；

Aus = Uo/Us=（Uo/Ui）*（Ui/Us）=β*RL'/(Rs+rbe)；

这些东西完全是教材上都有的，你要是认真看书是会做的，我这完全是看在200分而来的；

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