砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%

（1）BCDE （2）(CH 3 ) 3 Ga+AsH 3GaAs+3CH 4 (或： )。三角锥，sp 2 （3）1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1   （4）NH 3 分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键。

本题只是把选修3中新增知识点简单罗列。（1）中要能识别砷化镓晶胞结构和NaCl的简单立方不同，其他选项均好判断；（2）方程式可以看做取代，没有化合价变化；（3）为记忆性；（4）考查的是氢键。

（1）as是35号元素，属于主族元素，其最外层电子就是其价电子，所以as基态原子的价电子排布式：4s24p3，故答案为：4s24p3；

（2）同一周期元素中，元素的电负性随着原子序数的增大而增大，第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第va族元素第一电离能大于相邻元素，ga属于第iva族、as属于第va族，所以as的第一电离能比ga的大，as的电负性比ga的大，

故答案为：大；大；

（3）氨气分子间形成氢键，氢键的存在导致氨气的沸点最高，砷化氢的相对分子质量大于磷化氢，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢的高，则这几种氢化物的沸点高低顺序是：nh3＞ash3＞ph3，

故答案为：nh3＞ash3＞ph3；氨气分子间形成氢键，沸点最高，砷化氢的相对分子质量比磷化氢大，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢高；

（4）gaas的晶体结构与单晶硅相似，根据硅晶体结构知，在gaas晶体中，每个ga原子与4个as原子相连，与同一个ga原子相连的as原子构成的空间构型为正四面体，gaas的晶体结构和硅晶体相似，则晶体类型相似，所以gaas属于原子晶体，故答案为：4；正四面体；原子；

（5）根据元素守恒知，另外一种生成物是ch4，根据反应物、生成物及反应条件知，其反应方程式为：（ch3）3ga+ash3

700℃

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gaas+3ch4，

（ch3）3ga为非极性分子，（ch3）3ga中ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，

故答案为：（ch3）3ga+ash3

700℃

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gaas+3ch4；sp2．

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