半导体行业芯片封装与测试的工艺流程

半导体行业芯片封装与测试的工艺流程,第1张

封装测试厂从来料(晶圆)开始,经过前道的晶圆表面贴膜(WTP)→晶圆背面研磨(GRD)→晶圆背面抛光(polish)→晶圆背面贴膜(W-M)→晶圆表面去膜(WDP)→晶圆烘烤(WBK)→晶圆切割(SAW)→切割后清洗(DWC)→晶圆切割后检查(PSI)→紫外线照射(U-V)→晶片粘结(DB)→银胶固化(CRG)→引线键合(WB)→引线键合后检查(PBI);在经过后道的塑封(MLD)→塑封后固化(PMC)→正印(PTP)→背印(BMK)→切筋(TRM)→电镀(SDP)→电镀后烘烤(APB)→切筋成型(T-F)→终测(FT1)→引脚检查(LSI)→最终目检(FVI)→最终质量控制(FQC)→烘烤去湿(UBK)→包装(P-K)→出货检查(OQC)→入库(W-H)等工序对芯片进行封装和测试,最终出货给客户

IC的制备工艺相对复杂一点,但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程,如清洗、电镀等。干制程则与之相反,是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高,仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化,还需要进行综合评估,以解决多步骤的问题。

扩展资料:

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管,与之相对应的是后道(back end of line,BEOL)工艺,后道实际上就是建立若干层的导电金属线,不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料,例如:后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料,它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源:百度百科-后道工序

参考资料来源:百度百科-半导体

参考资料来源:百度百科-前道工艺


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