为什么P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度?不是掺入少量的杂质吗？怎么就会远大于？求真相！！！

因为不掺杂的半导体一般只有很少的本征载流子（电子和空穴的浓度相等），掺入少量受主杂质之后，就可以提供一定数量的空穴，而这些空穴往往要比原来的本征载流子浓度大得多，所以说“远大于...”

参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

"电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关"是正确的. 比如一个n型的半导体,参杂的量多的时候,其电子浓度很大,但是空穴浓度会很小,因此他们的乘积仍然是一个常数,而这个常数和温度有关,温度上升时,这个常数会变大.因此参杂浓度的高低会导致空穴和电子浓度的此消彼长. 当然,你不用担心参杂太多时,参杂的浓度会超过这个常数.原因是,参杂有个底线的,参杂多了就不在是半导体了,有可能变成其他的材料,因此材料在半导体范围内的时候,电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数这个表述是正确的.

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