例如:基级为分压偏置电路的,直接用电阻分压公式计算出下偏置电阻上的电压
就是基级电位(忽略了基级电流的影响);进而可以计算工作点(Q点)电流。
多说两句:
硅材料PN结电压一般按0.7V估算;锗材料PN结电压一般按0.3V估算;
PNP型三级管:发射极电位减去结电压就是基极电位(基级电位比射级电位低一个结电压);
NPN型三级管:发射极电位加上结电压就是基极电位(基级电位比射级电位高一个结电压);
另外:
三极管只有一路电源供电,即所谓的“VCC”。基级电压需要偏置电路提供,集
电极则依据不同的连接关系,可以直接接到VCC,或通过集电极电阻RC接到VCC.
VB即反向崩溃电压,主要测试该产品在多大电压会崩溃,主要是考虑产品可以 *** 作在多大电压或多大电流VF即顺向电压,给一个顺向电流测起两端电压,简单的可以说是为了测试产品焊线是否正常
IR即反向电流或漏电流,给一个反向电压测其电流,漏电流应该很小才合理,一般是nA等级
TRR这个我没有用到过,不好意思
望采纳
对啊 是Vc大于Vb,C 端是n型半导体,B为p半导体;Vb>Vc 叫正偏,Vc>Vb叫反偏啊.
我想你可能是对于PN结反向为什么还有电流有疑问吧?如果是的话,请参考 晶体管原理 一书
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)