半导体是这两年国家重点发展的行业,到底什么是半导体?
生活中所有的物体按照导电性大致可分为三类:导体、半导体、绝缘体。
这个很好理解,物体要么导电,要么不导电,要么有一点点导电,正是这种半推半就、不清不楚的物质给物理学家不同的发挥空间。
太绝对的导电和不导电的物质没什么意思,而在不同情况下导电性发生变化的东西才是有意思的。
来张图直观看看物体的导电性:
按照导电性便分为:
绝缘体: 电导率很低,约介于20-18S/cm 10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;
导 体 :电导率较高,介于104S/cm 106S/cm,如铝、银等金属。
半导体: 电导率则介于绝缘体及导体之间。
自然界中常见的元素半导体有硅、锗,据说锗基半导体比硅基半导体还要更早发现和应用,但是硅的天然优势就是便宜!自然界中常见的沙石就含有大量的硅元素,你说有多多!
即使自然界中硅砂很多,但硅砂中包含的杂质太多,缺陷也太多,不能直接拿来用,需要对它进行提炼。
怎么提炼?一个字——烧!
正如初中化学所学的,进行氧化还原反应。
①SiC + SiO2 Si(固体)+ SiO2(气体)+ CO(气体)
②Si(固体)+ 3HC SiHCl3(气体)+ H2(气体)
③SiHCl3(气体)+ H2(气体) Si(固体)+ 3HCl(气体)
经过三次高温化学反应后,我们得到了固体硅,但这时候的硅是多晶硅。
啥是多晶硅?
如同我们剥橘子的时候,里面有很多瓣橘子(多晶橘子),而且不同瓣的橘子味道不一样(晶体方向),我们要选味道最好的一瓣橘子,选出来让这瓣橘子单独长大!
怎么让一个小的单晶单独长大呢?
物理学家还是很聪明的,发明了一种长单晶的办法,叫柴可拉斯基法,可能方法就是以这名科学家名字命名的。
行业也有一种直观的称呼,叫提拉法!
因为在长单晶时就是把小的晶体往上拔!拔的时候速度有点慢,来看看这个装置:
图中的这个蓝色的圆棒就是单晶硅,在提拉的时候一边旋转一边往上拔,提拉法长出来的晶锭就是圆柱体了。
再将长好的晶锭采用机械刀片进行切割,切成一片一片的圆盘状,便成了晶圆。
有没有很眼熟?
晶圆就是这样被生产出来了。
虽然我们得到了晶圆,此时的单晶硅电化学性能还不行,不能直接用来做芯片,工程师们于是想办法改造单晶硅的电化学性能。
如何改造单晶硅呢?
先深入了解一下硅元素,在元素周期表中,硅排列在第14位,硅原子最外层有4个电子,分别与周围4个原子共用4对电子,这种共用电子对的结构称为 共价键 (covalent bonding)。每个电子对组成一个共价键。
这部分知识初中化学学过,来张图片直观看看:
左边这张图是单晶硅的晶体结构,为金刚石晶体结构。右边这张图是硅原子共用电子的情况,中间一个硅原子和四个硅兄弟共用电子。
突然有一天,有个物理学家想到一个问题,要是硅家不是和硅兄弟共用电子,把其他兄弟拉进群会怎样?
物理学家有一天把砷兄拉进了群,于是奇迹发生了:
砷兄弟最外层有5个电子,其中4个电子找到了硅家的对象,另外一个电子单着了,这个电子成了无业游民,到处流窜,由于电子带有电荷,于是改变了硅家的导电性。
此时的砷原子多提供了一个电子给硅家,因此砷原子被称为施主。
硅家的自由电子多了以后,带负电的载流子增加,硅变成n型半导体。
为啥叫N型?在英文里Negative代表负,取这个单词的第一个字母,就是N。
同样,物理学家想,既然可以拉电子多的砷元素进群,那么是否也可以拉电子少的硼原子进群?于是物理学家把硼原子拉进来试试。
由于硼原子最外层只有3个电子,比硅少一个,于是本来2对电子的共价键现在成了只有一对电子,多了一个空位,成了带正电的空穴(hole)。
此时的硅基半导体被称为p型半导体,同样P来自英文单词Positive(正极)的首字母,而硼原子则被称为受主。
正是在硅单晶中加入的原子不同,便形成了N型半导体和P型半导体。
当我们有了单晶硅,并且可以想办法将单晶硅表面氧化成二氧化硅。二氧化硅可作为许多器件结构的绝缘体,或在器件制作过程中作为扩散或离子注入的阻挡层。
如在 p‒n 结的制造过程中,二氧化硅薄膜可用来定义结的区域。
来张示意图看看,(a)显示无覆盖层的硅晶片,正准备进行氧化步骤,图(b)只显示被氧化晶片的上表层。
有了P型和N型半导体的理论知识,还可以玩点复杂的,对二氧化硅表面进行改造,改造成我们想要的图形,比如画只猫,画朵花等…
对晶圆表面进行改造的办法就是光刻!
光刻那不是要用到高端光刻机?听说这种设备很牛逼….不如先看看光刻的原理:
利用高速旋涂设备(spinner),在晶片表面旋涂一层对紫外(UV)光敏感的材料,称为光刻胶(photoresist)。将晶片从旋涂机拿下之后在80ºC 100ºC之间烘烤,以驱除光刻胶中的溶剂并硬化光刻胶,加强光刻胶与晶片的附着力。接下来使用UV光源,通过一有图案的掩模版对晶片进行曝光。然后,使用缓冲氢氟酸作酸刻蚀液来移除没有被光刻胶保护的二氧化硅表面。最后,使用化学溶剂或等离子体氧化系统剥离(stripped)光刻胶。
看看示意图:
文字说的有点复杂,直观理解有点像刻印章,先在石头上用颜料涂个模型,然后按照模型的尺寸进行雕刻,基本是这个道理。
印章有阳刻和阴刻的区别,晶圆也是这样,根据光刻胶的选取不同,也能实现阳刻和阴刻,人们选用的光刻胶称为正胶和负胶。
光刻后的硅表面暴露于外界中,此时物理学家在这个硅表面通过不同方法加入其它元素,称为离子注入。
因为注入B或者As离子以后,这些离子加入到硅家以后改变了硅家的传统,硅的电化学性能发生了改变,此时的半导体叫做非本征(extrinsic)半导体。
而由P型半导体和N型半导体接触形成的结称为p-n结!
我们在掺杂完成以后,需要想办法将这个半导体的性能引出,于是将这个半导体表面金属化,欧姆接触(ohmic contact)和连线(interconnect)在接着的金属化步骤完成,金属薄膜可以用PVD或CVD来形成。
随着金属化的完成, p‒n 结就可以工作了!
简单的半导体知识就介绍这么多吧!
【多晶硅】是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。
多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金属光泽,密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
【单晶硅】硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。
在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。现在,国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段,正在向实际应用阶段过渡,太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围,市场需求量不言而喻。
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