杂质和缺陷对少子寿命的影响

影响极大，减短寿命。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数，即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。杂质和缺陷对少子寿命影响极大，减短寿命，杂质、缺陷愈多非平衡载流子消失得愈快，在复合过程中少数载流子起主导和决定的作用。会产生杂质能级，成为少子的复合中心，从而寿命降低。

根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直

---