合肥强一半导体还在建吗

在建。合肥强一半导体项目总投资3.2亿元，截止到2022年11月1日仍在建造。该计划购置生产设备并建设表面处理、清洗、预处理生产线，从事半导体产业核心装备关键零部件的生产制造，通过后续不断扩大产能，最终年产值有望实现8亿元人民币。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。

定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模超70亿元

2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。

2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

全球半导体联盟GSA日前宣布，合肥长鑫存储技术有限公司董事长兼首席执行官朱一明将成为联盟董事会成员，这是中芯国际联席CEO赵海军之后，国内半导体公司第二次有高管进入GSA董事会。

GSA全称是Global Semiconductor Alliance全球半导体联盟，这是半导体行业最具影响力的联盟之一，在全球拥有来自超过25个国家和地区的250多家企业会员，代表着产值4500亿美元的半导体产业中70%的力量，涵盖了从初创公司到行业巨头的公共和私营企业，其中100家为上市公司。

GSA董事会领导层由半导体及相关高 科技 行业的技术和商业领袖组成，其董事会成员包括来自英特尔、三星、超微半导体（AMD）、安谋 科技 （ARM）、高通、应用材料等全球半导体巨头的高级负责人。

目前GSA联盟的董事会主席是AMD CEO苏姿丰，ARM CEO Simon Segars担任副主席。

在朱一明之前，中芯国际联席首席执行官赵海军是董事会内唯一代表中国大陆半导体企业的成员，这次是又第二家中国半导体公司的高管进入董事会领导层。

合肥长鑫是国内一家专注于DRAM内存芯片研发的公司，成立于2016年，合肥长鑫的一期厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。

根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

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