为什么在半导体设备中的偏压，其射频频率一般都在13.56Mhz？

使用13.56MHz的原因： （1）根据国际通讯协会的规定，13.56MHz(及谐频27.12Mhz、 40.68Mhz) 915Mhz（微波）、2450Mhz（微波），非通讯频段，工业、及无线电爱好者可以使用，由此该频率的电源技术逐渐成熟，生产厂家也多，价格也相应低，选用该频率的用户也多。但在产生等离子体或偏压特性上衡量，13.56MHz并不是最佳选择。 （2）从产生自偏压而言，在13.56MHz范围，同样功率产生的自偏压（仅仅直流自偏压）大， 在芯片的等离子体刻蚀中绝大多数使用电负性气体等离子体，等离子体中有正、负离子。使用400Kz电源产生自偏压时，直流自偏压小，电压的正负半周期几乎对称，正、负离子在平偏压的负、正半周期内通过鞘层加速轰击待刻蚀的Si、SiO2槽、孔，不但提高刻蚀速率，还可以降被刻蚀低绝缘材料的电荷积累，有利于刻蚀深、宽比大的槽、孔，刻蚀后的侧壁形状陡直。 采用13.56MHz偏压源，存在负的自偏压，仅有正离子可以进入刻蚀槽孔、底部，负离子不能穿过鞘层进入刻蚀表面，电子可以在很小的时间段（瞬时偏压为正期间）进入槽、孔，但仅能达到上部，由此造成刻蚀绝缘材料的差分带电，导致刻蚀性能恶化。

射频系统中, 常用的Xtal振荡频率一般在几MHz-几百MHz, 说到晶振放大器, 设计者肯定会想到常用的74HCU04或者74HC04的芯片, 前者是unbuffer型, 即只有1段振荡电路后者是buffer型, 即有三段振荡电路. 74HCU04的功耗相对小一些, 低频段gain大, 但是带宽较窄, 耐噪声比较差, 另外异常振荡也相对容易发生. 一般的水晶振荡子的内部结构为晶振的基本谐振频率如下式决定:freq=1/(2*pi*sqrt(Lo*C))一般C0要比C1大几十之几百倍, 而R1一般只有数欧姆-几十欧姆, R越大, 晶振子的频率一般越易变动, 即xtal的频率偏差性能较差. 晶振的频率偏差一般用ppm表示, 即(freq-freq0)/freq0, 例如16MHz的振荡子测试出的实际频率为16.000048MHz的话, 即偏差为3ppm. 振荡子的自身温度变动成2次曲线特性, 一般芯片的保存温度范围内, 数元的xtal的温度变动在数ppm-几十ppm左右.

1.2eV～3.9eV，是半导体的定义，但是现代发展已经不限于此，比如石墨烯的高速高频低功耗半导体就只有0.3～0.7eV，而蓝光led禁带是4.1，军用的抗干扰半导体是4.7～5eV。

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