美国国家半导体英文简称是什么？

半导体英文名称：semiconductor定义：材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。所属学科：机械工程（一级学科）；仪器仪表材料（二级学科）；半导体材料(仪器仪表)（三级学科） 半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。　半导体：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体

ST：第一的后缀——first——1st

ND：第二的后缀——second——2nd

RD：第三的后缀——third——3rd

TH：11、12、13以及其他尾数不带1、2、3的数字，基本后缀都是th，比如第十二twelfth，第三十thirtieth

第1~第30：

1 first

2 second

3 third

4 fourth

5 fifth

6 sixth

7 seventh

8 eighth

9 ninth

10 tenth

eleventh

twelveth

thirteenth

fourteenth

fifteenth

sixteenth

seventeenth

eighteenth

nineteenth

twentieth

twenty-first

twenty-second

twenty-third

twenty-fourth

twenty-fifth

twenty-sixth

twenty-seventh

twenty-eighth

twenty-ninth

thirtieth

半导体FRAM是ferromagnetic random access memory的英文缩写，即铁电存储器，FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。

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