少子漂移是指半导体中自由电子或空穴在电场作用下的运动,这种运动只涉及到少数的电荷载流子。
多子扩散则是指半导体中大量载流子(自由电子或空穴)在浓度差或浓度梯度作用下的运动,这种运动涉及到大量的电荷载流子。
简单来说,少子漂移是少量电荷载流子的移动,而多子扩散是大量电荷载流子的扩散。
先进行多子扩散,在中间形成空间电荷区,使得空间电荷区加宽,内电场增强,从而阻止扩散运动的进行;接下来,少子在内电场作用下,发生漂移运动,又使得空间电荷区缩短。但是在最后,多子和少子的数目达到动态的平衡,也就形成了PN结。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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