大功率半导体器件的发展不遵守摩尔定律，它是按照什么规律发展的？

大的趋势是在努力的延续十年功率密度翻一倍的需求，如图，如果不能达到就寻找新的材料和结构。

[1]Roberts,  Rd M ,  Ottawa O N , et al. Lateral GaN Transistors - A Replacement for IGBT devices in Automotive Applications[C]// Pcim Europe, International Exhibition &Conference for Power Electronics. VDE, 2014.

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。

1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下，金属的电阻随温度升高而增加，法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是人类首次发现的半导体现象。

1839年，法国科学家亚历山大·贝克雷尔（Alexandre Edmond Becquerel）发现了光伏现象。那是一个半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生电压，这是半导体的第二个特征。

1873年，英国科学家史密斯（W.Smith）发现了硒晶体材料在光照下电阻减弱的现象，这是半导体第三个特性。

1880年，半导体的霍尔效应被发现。

1874年，德国的布劳恩（Ferdinand Braun）发现了硫化物半导体的整流效应。同年，氧化铜的整流效应也被发现。

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