半导体元器件有哪些

半导体元器件有哪些,第1张

半导体元器件有哪些?现在我们来看下。1、晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个PN结。2、双极型晶体管它是由两个PN结构成,其中一个PN结称为发射结,另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。3、场效应晶体管它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应),使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

锗、硅、硒、砷化镓、许多金属氧化物和金属硫化物等。其导电性介于导体和绝缘体之间的半导体称为半导体。

半导体有一些特殊的性质。例如,可以利用半导体的电阻率与温度的关系来制作热敏元件(热敏电阻),用于自动控制;利用其光敏特性,可制成光敏元件用于自动控制,如光电池、光电池、光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的特性。如果在纯半导体物质中适当掺入少量杂质,其电导率将增加数百万倍。这一特性可用于制造各种半导体器件,如半导体二极管、三极管等。

当半导体的一面做成P型区,另一面做成N型区时,在结附近形成一层具有特殊性质的薄层,一般称为PN结。图的上半部分分为P型半导体和N型半导体界面两侧的载流子扩散(用黑色箭头表示)。中间部分是PN结的形成过程,表示载流子的扩散效应大于漂移效应(蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场方向)。下部是PN结的形成。代表扩散和漂移之间的动态平衡。

现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用,但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。\x0d\x0a半导体器件的种类: \x0d\x0a一、分立器件\x0d\x0a1、 二极管\x0d\x0aA、一般整流用\x0d\x0aB、高速整流用:\x0d\x0a①FRD(Aast Recovery Diode:高速恢复二极管)\x0d\x0a②HED(Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管)\x0d\x0a③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管)\x0d\x0aC、定压二极管(齐纳二极管)\x0d\x0aD、高频二极管\x0d\x0a①变容二极管\x0d\x0a②PIN二极管\x0d\x0a③穿透二极管\x0d\x0a④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管\x0d\x0a2、 晶体管\x0d\x0a①双极晶体管\x0d\x0a②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)\x0d\x0aⅠ、接合型FET\x0d\x0aⅡ、MOSFET\x0d\x0a③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)\x0d\x0a3、 晶闸管\x0d\x0a①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅\x0d\x0a②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管) \x0d\x0a③LTT(Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管)\x0d\x0a\x0d\x0a二、光电半导体\x0d\x0a1、LED(Light Emitting Diode:发光二极管)\x0d\x0a2、激光半导体\x0d\x0a3、受光器件\x0d\x0a①光电二极管(Photo Diode)/太阳能电池(Sola Cell)\x0d\x0a②光电晶体管(Photo Transistor)\x0d\x0a③CCD图像传感器(Charge Coupled Device:电荷耦合器)\x0d\x0a④CMOS图像传感器(complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体)\x0d\x0a4、光耦(photo Relay)\x0d\x0a①光继电器(photo Relay)\x0d\x0a②光断路器(photo Interrupter)\x0d\x0a5、光通讯用器件\x0d\x0a\x0d\x0a三、逻辑IC\x0d\x0a1、通用逻辑IC\x0d\x0a2、微处理器(Micro Processor)\x0d\x0a①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)\x0d\x0a②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)\x0d\x0a3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)\x0d\x0a4、AASIC(Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC)\x0d\x0a①栅陈列(Gate-Array Device)\x0d\x0a②SC(Standard Cell:标准器件)\x0d\x0a③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)\x0d\x0a5、MPR(Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI)\x0d\x0a6、系统LSI(System LSI)\x0d\x0a\x0d\x0a四、模拟IC(以及模拟数字混成IC)\x0d\x0a1、电源用IC\x0d\x0a2、运算放大器(OP具Amp)\x0d\x0a3、AD、DA转换器(AD DA Converter)\x0d\x0a4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)\x0d\x0a\x0d\x0a五、存储器\x0d\x0a1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)\x0d\x0a2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)\x0d\x0a3、快闪式存储器(Flash Memory)\x0d\x0a4、掩模ROM(mask Memory)\x0d\x0a5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)\x0d\x0a6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)


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