鸟嘴效应是什么，为什么不受欢迎

产生原因:由于氧在二氧化硅中的扩散是一个等向性过程，因此，氧也会通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散，在靠近刻蚀窗口的氮化硅层底下就会生长出二氧化硅。由于氧化层消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化物生长将抬高氮化物的边缘。即为鸟嘴效应。解决方法:这是LOCOS工艺中一种不好的现象，氧化物越厚，"鸟嘴效应"更显著。通常会在氮化物和硅之间生长一层薄氧化层，称之为垫氧,这样可以有效的减小氮化物掩膜和硅之间的应力。另外采用(111)晶向的P沟工艺比采用(100)晶向的N沟工艺有更短的"鸟嘴"若SiO2膜加厚，则可减小缺陷，但"鸟嘴"就增大。

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