在本征半导体中掺入"什么"价元素得N型半导体

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ） A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素 N：negative（负）的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来 2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于（ A） A 发射结正偏、集电结反偏 B 发射结正偏、集电结正偏 C 发射结反偏、集电结正偏 D 发射结反偏、集电结反偏 3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是（ B ） A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管 假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue

本征半导体是非常纯净不含杂质的半导体晶体，而在单晶半导体内，原子按晶体结构排列得非常整齐。

杂质半导体就是掺入微量元素的本征半导体，例：N型掺入五价元素磷，P型掺入三价元素硼。

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