三探针技术——测量击穿电压,并得到电阻率。
Hall效应技术——测量Hall系数R,并得到迁移率(μ=Rσ)。
MOS电容-电压技术——测量MOS中的界面态和电荷等。
光电导衰退技术——测量少数载流子寿命。
尽管激光市场受到、贸易战等外部因素的影响,但整体产业仍保持欣欣向荣的气象。多家企业仍在建制新厂、扩建或改建、优化工艺线等,这也对激光测试及老化设备提出了更高的要求。目前,国内外大功率半导体激光器泵浦源制作商为了提高输出功率需要使用偏振合束的技术方案,对半导体激光芯片的偏振度测试提出了强烈的需求,目前市面上激光器研制单位针对半导体激光芯片的偏振测试基本依靠简单搭建的独立仪器组合来完成,功能单一,使用 *** 作复杂,测试准确度和重复度差,测试效率低下,以致对偏振度测试成为了众多半导体激光器芯片和模组生产企业的产能瓶颈。为了解决行业测试痛点问题,日前深圳瑞波光电子有限公司的专业测试设备团队,在RB-CT1003X COS综合性能测试机的基础上,开发了带自动偏振测试功能的RB-CT1004X激光器测试设备系列,该型设备集成了LIV、光谱、远程发散角、偏振度自动测试功能,是目前市面上功能最全的半导体激光器测试设备,可广泛应用于激光器芯片、泵源研究院所、大学和生产制造企业,目前该RB-CT1004X系列设备刚一上市就已经获得国内多家半导体激光器制造商的订单,显示出业界对新型测试设备的强力认可和迫切需求。深圳瑞波光电子有限公司一直致力于为半导体激光器制作行业提供全面的、性价比高的测试解决方案,针对半导体激光器制作过程的关键环节,瑞波光电开发了成系列、自动化程度高的性能测试、老化设备。多年来基于用户角度深耕于半导体激光器测试、老化技术,瑞波光电的性能测试、老化设备广泛应用于海内外的光电企业,目前累计对外销售120台。其中RB-CT1003X系列的COS综合性能测试机,集成了LIV、光谱、远程发散角测试,因其功能齐全, *** 作简单广发应用于半导体激光器器件研制单位和生产企业,该系列设备装机量超过50台。1、新款RB-CT1004X系列设备主要功能和特点- 对贴片好的COS、C-mount、TO等封装器件做全面表征测试- 在特殊设计的脉冲电流或者CW模式下测试LIV特性、光谱特性、远场特性、偏振态特性- 可测试器件的COD特性- 电流范围宽:标准电流范围0-25A(可配置到0-0.5A,0-5A,0-40A)- 电流波形选择宽:50微秒脉冲宽度到连续电流半导体参数分析仪(器件分析仪)是一种集多种测量和分析功能于一体的测试仪器,可准确执行电流-电压(IV)和电容测量(CV(电容-电压)、C - f(电容-频率)以及 C – t(电容-时间)测量),并快速、轻松地对测量结果进行分析,完成半导体参数测试。半导体参数测试是确定半导体器件特征及其制造过程的一项基础测量。在参数测试中,通常需要进行 IV 测量,包括分辨率低至 fA(毫微微安培)的小电流测量和高达 1 MHz 的CV 测量,并对主要特征/参数进行分析。虽然半导体参数分析仪的设计初衷是进行半导体评测,但因其优越的性能、强大的功能以及出色的易 *** 作性,现已在各种材料、器件和电子器件的 IV 和 CV 表征中得到广泛应用。
半导体参数分析仪可为表征任务提供更高的性能、更强的可用性以及更高的效率。参数分析仪集多种测量资源于一身,可轻松进行 IV 和 CV 测量,无需汇集或集成多种仪器,例如电源、电压表、电流表、LCR 表、开关矩阵等。参数分析仪的主要测量元器件是电源/测量单元(SMU)。SMU 是一种将电压/电流源功能和电压/电流表功能结合于单一模块中的测量模块。由于该参数分析仪将电源和测量电路紧密集成,所以相比使用多种独立仪器进行相同测量来说,可以提供更高的精度、分辨率以及更小的测量误差。
此外,参数分析仪还具有分析功能,使您无需借助外部 PC 便可快速地交互检查和分析显示屏上的测量结果。由于半导体参数分析仪具有多种功能,因此适用于从探索分析到自动测试的各种测量环境。
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