什么栅极，源极，漏极？

1、栅极

由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。

这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响，电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅极、漏极、源极所在的半导体的块体。通常体端和一个电路中最高或最低的电压相连，根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起，因为有时源也连在电路中最高或最低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构，比如级联传输电路和串叠式电路。

2、漏极

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器

3、源极

简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。

参考资料：

百度百科—栅极

百度百科—漏极

百度百科—源极

半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c），基极（b），发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。晶体三极管有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。

原理：

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。

以上内容参考：百度百科-三极管

以NPN型COMS为例，源极和漏极在栅极加正压时，当这个正压大于阈值电压Vth时导通（一般会根据设计时是否是正负压（如±5V）还是全正压(如avdd-9.8V，Havdd=4.9V来设计)，一般高于LC的工作电压9V左右（主要考虑Ion最大，让LC充电时间更快）。回归原题，之所以设计重叠，也必须是重叠的，从TFT导电机理上分析是因为在栅极上通正电，会吸引参杂半导体中的带异性的电子吸引过来，栅极电压加的越高，会时半导体 中发生雪崩，电子骤然增加，使得源、漏极导通；如果不重叠，只有在源、漏极下方 中间部分有大量的电子，靠近源、漏极下方缺没有（或者导通电子少），这样TFT不能工作（工作性能不好，如导通电阻大，导致功耗大）。不知道你明白没？

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