晶圆是生产集成电路所用的载体。
晶圆(英语:Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,是生产集成电路(integrated circuit,IC)所用的载体。而我们现实中比较常见到的硅晶片就要数电脑CPU和手机芯片。
在半导体行业,尤其是集成电路领域,晶圆的身影随处可见。晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片,而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件构,使之成为有特定电性功能的IC产品。
晶圆制造工艺:
表面清洗:晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
初次氧化:由热氧化法生成SiO2缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术。
热CVD:此方法生产性高,梯状敷层性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦产生反应,及气体可到达表面而附着薄膜)等,故用途极广。
以上内容参考:百度百科-晶圆
硅晶圆就是指硅半导体电路制作所用的硅晶片,晶圆是制造IC的基本原料。12寸晶圆就是直径12英寸的晶圆,这要说到8英寸和6英寸以及更小规格,现在晶圆的规格越来越大不是根据用途而定的,是因为晶圆做的越大。
一方面:在晶圆上制造方形或长方形的芯片导致在晶圆的边缘处剩余一些不可使用的区域,当芯片的尺寸增大时这些不可使用的区域也会随之增大,为了弥补这种损失,半导体行业采用了更大尺寸的晶圆;另一方面应该会提升生产效率!
12寸晶圆用途很广泛,这个根据不同设计方案,晶圆是根据设计而定制的,比较通用的包括CPU,GPU,内存,手机芯片,电源驱动芯片。
当然工艺的纳米级也是制程的另外一个参数和晶圆大小没有必然联系,晶圆大小只是跟上述所说的增大利用率和提升生产效率!这样说8寸晶圆同样可制造出上述不同IC,无论是几寸晶圆有时候一个晶圆上会含有多种芯片!
扩展资料:
目前业界所谓的6寸,12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称,只不过这个寸是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm,300mm以及450mm这三种,而12_约等于305mm,为了称呼方便所以称之为12_晶圆。
国际上Fab厂通用的计算公式:一定有公式中π*(晶圆直径/2)的平方不就是圆面积的式子吗?再将公式化简的话就会变成:X就是所谓的晶圆可切割晶片数(dpwdieperwafer)。
参考资料来源:百度百科-晶圆
参考资料来源:百度百科-硅晶圆
晶圆是制造IC的基本原料硅是由沙子所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制成长硅晶棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。我们会听到几寸的晶圆厂,如果硅晶圆的直径越大,代表著这座晶圆厂有较好的技术。另外还有scaling技术可以将电晶体与导线的尺寸缩小,这两种方式都可以在一片晶圆上,制作出更多的硅晶粒,提高品质与降低成本。所以这代表6寸、8寸、12寸晶圆当中,12寸晶圆有较高的产能。当然,生产晶圆的过程当中,良品率是很重要的条件。
晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅融解,再于融液内掺入一小粒的硅晶体晶种,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗小晶粒在熔融态的硅原料中逐渐生成,此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过研磨,抛光,切片后,即成为积体电路工厂的基本原料——硅晶圆片,这就是“晶圆”。
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