光电池也叫太阳能电池，直接把太阳光转变成电。因此光电池的特点是能够把地球从太阳辐射中吸收的大量光能转化换成电能。是一种在光的照射下产生电动势的半导体元件。光电池的种类很多，常用有硒光
电池、硅光电池和硫化铊、硫化银光电池等。主要用于仪表，自动化遥测和遥控方面。有的光电池可以直接把太阳能转变为电能，这种光电池又叫太阳能电池。太阳能电池作为能源广泛应用在人造地球卫星、灯塔、无人气象站等处
光伏发电是利用半导体pn结（pn junction）的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池(solar cell)。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件（module），再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。光伏发电的优点是较少受地域限制，因为阳光普照大地光伏系统还具有安全可靠、无噪声、低污染、无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电及建设周期短的优点。光伏发电是根据光生伏特效应原理， 当P-N结受光照时，样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。因P区产生的光生空穴，N区产生的光生电子属多子，都被势垒阻挡而不能过结。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉
工作原理
向N区，光生空穴被拉向P区，即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电子积累，在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，P端正，N端负。于是有结电流由P区流向N区，其方向与光电流相反。如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线，接通负载，则外电路便有电流通过，如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。
多数人对电脑的深入原理并没有太深了解，但是当家里的电脑使用时间比较长，或者天气较热的情况下，机箱中往往就会传来刺耳的噪音。其实让你感到刺耳的噪音也同样在烦恼着计算机科学家们。因为在电脑中，计算机速度越快、效率越高，热量产生越大。高温会阻碍电子元件的工作效率，所以热量的问题就成为“电”脑速度提高的一个无法逾越的障碍。
“光”是解决这个问题的好办法。首先，光信号在传播质中传播时，所因做功而产生的热是十分少的，这些微弱的热仅需自然发散即可，无需像传统计算机需要风冷水冷等散热设备来进行辅助散热；其次，因为发热极为微弱，所以不会因温度而对性能造成影。光脑同时，使用过宽带上网的人也有体会，接入光纤的宽带远远比接入其他线路的宽带速度要快得多，这是因为光的频率要比非可见光频段的电磁波高得多，可以携带更多的信息。如果使用的是光脑，那么本身就会比电脑快上许多倍。 日常生活的经验告诉我们，当几束不同颜色的光相遇时，能够相安无事、互不干扰的穿越，这样不同频率的光就可以携带不同的信息在同一条光纤通道中穿过，而电则不行。因此如果我们的“电”脑能够变成光脑，那么当我们同时打开许多窗口玩游戏、听音乐和聊天的时候，甚至让一台计算机同时肩负多种复杂工作的时候，也不会有急剧的速度变慢现象了。
对于计算机来说，越快代表越聪明，低散热问题，就意味着可以更小。因此，当用上光脑之后，我们才有可能将整个房屋的全部事务委托给一台小盒子那么大的计算机控制，而不是像现在使用穿衣柜一样的一排计算机来管理。我们可能会使用科幻片中带着极高速度自动行驶的汽车来缓解城市交通的压力，而实际控制的也许是个比手掌大不了多少的计算机。 与叫了几十年的“电脑”相比，“光脑”似乎更时髦，而且充满着科幻色彩。试想，计算机如果以光子传递信息，即使光线相交也互不影响，而速度却至少提高三个数量级，突破电子逻辑门开关的速度极限。那时，我们再也没有金属导线的高延迟，没有令人头疼的高发热量，计算机更小更快、传输信息量更大……诸多优越性背后的技术支撑是硅光电子学。
英特尔将硅光电子学作为其战略性技术开展研究，并多次公开发表最新研究成果。2008年年底，英特尔在《自然》上发表了在光电探测器方面的新突破，让“光脑”再激千层浪，我们多久可以拥有它，五年、十年还是更久？一时间，“光脑”话题再度升温。尽管完全“光脑”还不可行，但作为第一步，我们已经看到科学家把电子转换器同光结合起来，制造出光与电混合的新一代计算机的曙光。 硅光子学唤起了太多人的热情。硅光子学既是半导体光子学中的新兴研究课题，也在发展中逐渐成为物理学、材料学、计算科学、通信学等多学科综合的一门交叉学科。硅光电子学专门研究在硅及硅基异质结材料中的光子行为和规律，并且非常注重硅光子器件。成熟的硅工艺为硅光子学提供了坚实的技术支持，加速了硅光子学的形成和发展。
一方面是现代微电子产业的基石——硅基半导体的发展接近极限，以英特尔为代表的半导体厂商都在寻找并引入高科技新材料，以实现延长基于硅的摩尔定律的寿命；而另一方面，光电子技术作为一项快速发展且前景光明的技术，吸引众多国内外专家学者的关注，他们致力于将光子技术和微电子技术结合起来。
硅光子器件将是继集成电路之后最有应用前景的实用元器件，这一创新将在后硅材料时代引领技术革命。我国著名的硅光子学研究专家、中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员余金中指出，成熟的硅光子学将在信息领域和社会生活中起到重要作用，特别是推动光计算发展。在未来十几年重点攻关后，在信息功能材料及器件、传感器网络及智能信息处理、激光技术、纳米研究等项目推进中，硅光子学具有广阔发展空间。
发展硅基光子科学和技术的意义是如此重大，这就不难理解为何有一定科研实力的国家都把这一学科作为长远的技术发展目标，这以美国最为突出。我国的863计划、973计划，也都把硅基光电子研究的相关课题列入计划，中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心、浙江大学硅材料国家重点实验室、吉林大学集成光电子国家重点实验室等领先研究性机构，都在这一前瞻性研究的硅基材料、器件实用化等方面取得了突出成果。 我们期待硅光子技术突破，主要就是要解决提高传输速度的问题，尤其是进入单芯片万亿次计算时代后，这个问题就更加突出，与万亿次计算相匹配的还应该有万亿次通信。这个问题在未来的高性能计算领域同样存在，计算机需要找到一种更快的方法，以便在芯片内部及芯片之间传送大量数据，业界把突破通信瓶颈的希望寄托在硅光子通信上。
我们对“高带宽、低延迟”的期待可以从光纤谈起。目前，长距离传输由光纤通信实现，主要是城域和长距离传输，长度约是0.1km～80km。机架到机架也开始采用光纤传输，长度约是1m～100m。而从板卡到板卡、芯片到芯片，采取的还是导线传输。目前硅光子学研究就是要把光传输从长距离向超短距离传输扩展。
从目前发展情况来看，持续改进的技术只是问题的一个方面，另一个重要问题是成本。举例来说，以铜导线连接为例，每年需要连接的器件数量在数十亿以上，对光模块的需求量非常大。而目前，多数光子器件都采用砷化镓和磷化铟之类的特殊半导体制造，成本过于高昂、处理与封装也十分复杂，很难用于单台计算机甚至本地网络。英特尔院士兼光子学技术实验室总监Mario Paniccia在接受记者采访时说：“我们要把光通信技术的优势带到芯片级平台上，不只要有技术，还要把这个技术做到低成本，这样才可能把技术规模化，这是我们研究的推动力。”
Mario Paniccia说的这项技术就是硅光电子学，其愿景是要研究使用廉价、制造工艺简单的硅作为基础材料开发光子器件，并在现有的晶圆工厂中，采用标准的批量生产的硅制造技术来实现。这样带来的优势就是能为光通信带来规模经济效应。英特尔在开展这项研究的数年来取得了一系列成果，尤其是从2005年开始，逐渐进入了成果收获期。 硅光子学从研究到最终产业化，是一项系统工程，英特尔把通过光传输方式收发数据的过程分解为以下步骤来实现：一是先解决光源问题，就是生成光束的激光器，要能发出连续光；二是解决传输路径问题，就是光波导，就如同让光在硅平台上传播的高速公路网络；三是光调制器，把光束分成代表数字0和1的开/关信号，光的变化就携带了传输信息；四是光探测器，光传输到目的地后，需要有光探测器探测到脉冲光信号，把附加在光上面的信息下载下来，重新转换成电信号。
在这些技术问题都解决了之后，就是考虑生产与产业化的问题了，即实现低成本封装和CMOS工艺批量制造。现在基于硅的制造工艺已经非常成熟，这能够实现低成本的大规模生产。而根据不同的应用需求，我们还可以像搭积木一样，对这些模块进行组合，以实现不同的功能。
芯片就是IC，泛指所有的电子元器件，是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。由于硅的半导体可以制成由于半导体可以进行不同掺杂形成pn结，使其具有整流特性实现电路的与或非门，即逻辑表达。对于集成电路来讲，最底下的一层叫衬底（一般为P型半导体），是参与集成电路工作的。拿cmos工艺来讲，N沟道mos的p型衬底都是连在一起的，都是同一个衬底。集成电路是一些电子元器件加连线构成，它通过加反偏和其他的技术来实现隔离（如器件二极管、三极管、场效应管）。光电池就是利用半导体的光敏特性，在光照下，价带的电子会跃迁到导带，吸收大部分的太阳光，产生非平衡载流子，在pn结内建电场的作用下，形成了由n到p的光电流（参看光生伏特效应）这样就实现了太阳能转化为电能。（目前量产的单晶硅电池转换效率在17%左右，多晶硅电池转换效率在16%左右，而薄膜电池量产的转换效率为10%左右。）
能力有限希望你能满意。
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