IGBT是可控器件,即可通过开关信号控制它的门极实现CE间输出关断。现在热门的高铁、风电、光伏、电动汽车等新能源行业中DC-AC的开关器件,将母线上的直流电转化为交流输出,也就是常说的逆变单元。相近应用的元件比较,IGBT较GTO具备更高的开关频率,较MOS具备更高的耐压。
IGBT相对于MOSFET的缺点有二:
1)开关速度低。
2)同时有多子和少子起作用,这导致他工作的时候是内阻是负温度系数。这不利于多管并联,也不利于高可靠性工作。
优点,那就是应为是少子和多子同时起作用。所以导通压降小。
IGBT就是一个由晶体管实现的电路开关。当其导通时,可以承受几十到几百安培量级的电流;当其关断时,可以承受几百至几千伏特的电压。
家庭方面的主要应用比如变频空调、电磁炉,微波炉,还有就是电脑电源的主动pfc还有UPS。工业方面应用主要用于各种电机驱动。
IGBT作为晶体管的一种,它不用机械按钮,而是由别的电路来控制的。具体点说,IGBT的简化模型有3个接口,有两个(集电极、发射极)接在强电电路上,还有一个接收控制电信号,叫作门极。给门极一个高电平信号,开关(集电极与发射极之间)就通了;再给低电平信号,开关就断了。
给门级发出控制指令的电路称为控制电路,你可以理解为是一种“计算机”,只不过实际用的“计算机”通常是单片机或者是叫作DSP的微处理器,擅长处理数字信号,比较小巧,甚至对于一些很基本的应用,可能靠一些简单的芯片和电路就可以实现控制,无需编程。
但要注意的是,门级所谓数字信号的电压也需要10到20伏特,所以在控制电路和IGBT之间还需要一个小的“驱动电路”来进行信号的转换。
IGBT的特点可以从其全称中了解一二:绝缘栅双极晶体管。
所谓绝缘栅,是指IGBT与MOSFET类似,作为控制的门级和功率电路部分是绝缘的,之间没有通过导体或半导体电气连接。门级只要出现一定的电压,在半导体内部形成一定的电场,就可以实现IGBT的导通。
有了绝缘栅,在开关时,只需要在IGBT切换状态的瞬时间内给门级注入/抽取一点能量,改变内部电场,就可以改变IGBT的工作状态。这个过程很容易做的非常快速,这也是IGBT、功率MOSFET的最大开关速度较高的原因之一。
相比之下,普通的三极管(BJT)中,控制极需要有持续的电流才能维持导通,而且当主功率电路中的电流较大时,这个电流也必须相应地变得比较大才能支持这样的电流。
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