中国半导体前景堪忧

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

首先是芯片技术的发展趋势。存储芯片是半导体存储器的重要组成部分，其技术的发展决定了新一代存储器的容量和性能。主流的存储芯片有DRAM存储芯片和NAND闪存芯片，其中DRAM的技术发展路径是通过工艺小型化来提高存储密度。工艺进入20nm后，制造难度大大提高。

其次是半导体制造设备细分。在国内一些晶圆厂的采购中，去胶设备国产化率接近90%，是半导体制造设备中国产化率最高的。中国半导体行业正在经历下游需求爆发带来的行业复苏和国内替代机会。非晶半导体不是物理加工，而是用化学手段直接改变原子的位置，使原来的周期性发生变化，形成非晶硅。制造过程简单，易于 *** 作，成本低，但这种物品对环境有污染，且难以分解。

再者是新型存储介质的发展趋势。新的存储介质结合了DRAM存储器的高速存取和NAND闪存断电后保留数据的特性，可以打破存储器和闪存的界限，将两者合二为一。同时，新型存储介质功耗更低、寿命更长、速度更快，因此被业界视为未来闪存和内存的替代品。然而，新的存储介质行业尚未成熟。

要知道的是中国作为半导体消费大国，内需市场依然巨大。虽然中国半导体产业发展起步较晚，与国际大公司相比仍有差距，但不可否认，中国是全球最大的集成电路产品消费市场，也是全球集成电路产业发展的重要支撑。近年来，国内半导体技术企业逐步攻克了一系列关键技术难题。大部分关键设备类型可实现国产化配套，主要零部件配套体系初步形成。一些设备已经进入国际采购系统。

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